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整改LED电源的EMI 传导测试的方法

我用L6562做的一款LED电源,在EMI测试传导总是过不了,急啊,都测第五次了。

请高手指点啊。

电路如是:L6562 

测试传导图: 

 

现在的情况是,谐波电流在18%左右,我怀疑这个数值大了点,经过整改但效果没有得到改善,谐波电流值一值没有下来,是否是我的整改方法不对,还是电路本身参数选取不当所造成的呢,期待您的解答!谢谢!

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jsandypp
LV.2
2
2010-07-24 17:31

这是传导图,请帮忙分析。

在50K-60K,100K-1MHz这两段,如何改善?

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sunjoy
LV.5
3
2010-07-24 17:37
@jsandypp
[图片]这是传导图,请帮忙分析。在50K-60K,100K-1MHz这两段,如何改善?

你的PFC电感多大,建议你改一下电感的感量,调整一下PFC的开关频率,让其与EMI电路产生相互谐振,从而避开EMI的开扰

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懶人
LV.7
4
2010-07-27 16:35
@jsandypp
[图片]这是传导图,请帮忙分析。在50K-60K,100K-1MHz这两段,如何改善?
把共模电感换成工字型电感,再调整下滤波电容。应该会好!
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2010-07-28 11:41
我现在也在搞,也是6562单激PFC30W的,不过比你的好些,我的只是在0。15MHZ那里超了5db其它都不超很好,改了好久都改不好,谁能指点下呀
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ditozy
LV.4
6
2010-07-28 13:21
@懶人
把共模电感换成工字型电感,再调整下滤波电容。应该会好!
这个应该可以的
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jsandypp
LV.2
7
2010-07-28 14:57
@懶人
把共模电感换成工字型电感,再调整下滤波电容。应该会好!

你的意思,就是加差模电感,对吗?

另新进展:我在整流后加LC滤波,传导PASS,有8dB的余量。

我这个方案是做全电压的,之前全电压恒流输出,但加LC后,在120V以下,电路不能恒定,不知是什么原因?

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sunjoy
LV.5
8
2010-07-28 22:28
@风起云涌
我现在也在搞,也是6562单激PFC30W的,不过比你的好些,我的只是在0。15MHZ那里超了5db其它都不超很好,改了好久都改不好,谁能指点下呀

你先加大X电容试试(猛加大一点)好看效果,如果还是压不下来,那估计是你的开关频率刚好在75K左右,你就要调一下电感了

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林建良
LV.7
9
2010-07-28 22:54
@风起云涌
我现在也在搞,也是6562单激PFC30W的,不过比你的好些,我的只是在0。15MHZ那里超了5db其它都不超很好,改了好久都改不好,谁能指点下呀

15MHZ是開關MOSFET or Diode 的Ring造成

1. 30W使用4~6A MOSFET一般Gate電阻為30~68 ohm

2. 輸出使用共模直接由3MHz以後全砍掉

3. 若使用變壓器內部隔離銅箔接地,則Layout不要直接到Y-CAP, Layout順序建議如下:

變壓器地-->VCC CAP負 -->IC地-->Current sensor地 -->Bulk CAP地 --> Bridge

次級地-->(次級共模 option) --> 輸出電容地 -->變壓器次級地 --> Y-CAP --> Bridge

 

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2010-07-29 08:16
@林建良
15MHZ是開關MOSFETorDiode的Ring造成1.30W使用4~6AMOSFET一般Gate電阻為30~68ohm2.輸出使用共模直接由3MHz以後全砍掉3.若使用變壓器內部隔離銅箔接地,則Layout不要直接到Y-CAP,Layout順序建議如下:變壓器地-->VCCCAP負-->IC地-->Currentsensor地-->BulkCAP地-->Bridge次級地-->(次級共模option)-->輸出電容地-->變壓器次級地-->Y-CAP--> Bridge 
昨天我又用模拟电阻测了下,EMI和上面那兄弟的波形差不多,用LED做负载测就只有0。15MHZ那里超,还有前面的共模电感,X电容,MOS那里加磁珠,Y电容加大,回路吸收那里也改过,效果不大,现在没什么办法了,我想会不会是这IC本身不行,ST的工程师出来说说……
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jsandypp
LV.2
11
2010-07-29 08:26
@风起云涌
昨天我又用模拟电阻测了下,EMI和上面那兄弟的波形差不多,用LED做负载测就只有0。15MHZ那里超,还有前面的共模电感,X电容,MOS那里加磁珠,Y电容加大,回路吸收那里也改过,效果不大,现在没什么办法了,我想会不会是这IC本身不行,ST的工程师出来说说……
你在桥堆后加一个电感,就可以解决了。
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2010-07-29 09:16
@jsandypp
你在桥堆后加一个电感,就可以解决了。

我试过,加一个工字电感在桥堆的负级那里,会好很多,加在正级就没多大效果了,但总体也还是不太理想,

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ditozy
LV.4
13
2010-07-29 10:22
@jsandypp
你的意思,就是加差模电感,对吗?另新进展:我在整流后加LC滤波,传导PASS,有8dB的余量。我这个方案是做全电压的,之前全电压恒流输出,但加LC后,在120V以下,电路不能恒定,不知是什么原因?

整流后用电感滤波会可以的,电感引起的插入损耗可以并联适当电阻可以消除。

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林建良
LV.7
14
2010-07-29 10:29
@风起云涌
我试过,加一个工字电感在桥堆的负级那里,会好很多,加在正级就没多大效果了,但总体也还是不太理想,

150KHz可以用X-CAP砍,但容量加到0.22uF會造成PFC下降

我有一次一直加零件總是怪怪的

最後發現我原本Power Module漏在鋁殼外測量,後來塞進去鋁殼內測量就PASS了

雖然外面鋁殼沒接地,但一樣有效果,最後那些被硬追加的東西都一個一個拔掉,爽!!

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jsandypp
LV.2
15
2010-07-29 13:45
@风起云涌
我试过,加一个工字电感在桥堆的负级那里,会好很多,加在正级就没多大效果了,但总体也还是不太理想,

我好像没遇到你说的这种情况,我在桥堆后加一个电感,与滤波电容组成LC滤波,效果很好啊。对了,前提是对10K-1MHz有改善。

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jsandypp
LV.2
16
2010-07-29 13:48
@林建良
150KHz可以用X-CAP砍,但容量加到0.22uF會造成PFC下降我有一次一直加零件總是怪怪的最後發現我原本PowerModule漏在鋁殼外測量,後來塞進去鋁殼內測量就PASS了雖然外面鋁殼沒接地,但一樣有效果,最後那些被硬追加的東西都一個一個拔掉,爽!!
你说的情况我之前好像也有遇到过。但没太弄明白原因,可以分析一下?
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ruixue16
LV.3
17
2010-07-29 16:00
@风起云涌
我试过,加一个工字电感在桥堆的负级那里,会好很多,加在正级就没多大效果了,但总体也还是不太理想,

你可以把電感量加大一點,就可以啦!同步也可以把電容再稍加大一點配合整流後的電感一起使用.可以解決EMI的問題.

 

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2010-07-29 17:07
@林建良
150KHz可以用X-CAP砍,但容量加到0.22uF會造成PFC下降我有一次一直加零件總是怪怪的最後發現我原本PowerModule漏在鋁殼外測量,後來塞進去鋁殼內測量就PASS了雖然外面鋁殼沒接地,但一樣有效果,最後那些被硬追加的東西都一個一個拔掉,爽!!

现在过了,搞了一下午,我又加了一级共模进去,接下来是要改板了,我做的是90V300mA的LED电源

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2010-07-29 17:11
@ruixue16
你可以把電感量加大一點,就可以啦!同步也可以把電容再稍加大一點配合整流後的電感一起使用.可以解決EMI的問題. 
现在过了,在告诉大家一个经验,布板时共模要隔直流越远越好,我多加了一级共模已经过了
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jsandypp
LV.2
20
2010-07-29 18:45
@风起云涌
现在过了,在告诉大家一个经验,布板时共模要隔直流越远越好,我多加了一级共模已经过了
你用两级共模,电感量多大?我试过在前面加两个差模电感,效果也很好,但有同事说这样有个隐患,差模电量会发生饱和现象,且功耗增加,不知大家有什么建议?
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林建良
LV.7
21
2010-07-30 02:57
@jsandypp
你说的情况我之前好像也有遇到过。但没太弄明白原因,可以分析一下?

大家都知道共模的原理就是外面感應進來的EMI noise會因為兩圈數相位而相抵消

換過來說,差模沒有這特色,所以很怕被干擾

也就是發射Noise的MOSFET & Transformer 直接射到差模上而由AC Line發射到天線

因此使用差模做EMI對策雖然省空間省錢,但是差模Layout位置距離MOSFET & Transformer最好超過15公分,差不多是35X19mm的E27 PCB

而MOSFET在中央位置; Transformer在右半邊;那麼差模要退到左邊PCB邊緣上

另外走線的Trace也要小心,若Trace太靠近則那根Trace還要再浪費一個差模

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zhezhong
LV.1
22
2010-07-31 17:27
@jsandypp
[图片]这是传导图,请帮忙分析。在50K-60K,100K-1MHz这两段,如何改善?
你好,加大差模电感试试。我也有块电源板就是这样过传导的。
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林建良
LV.7
23
2010-07-31 21:01
@jsandypp
你用两级共模,电感量多大?我试过在前面加两个差模电感,效果也很好,但有同事说这样有个隐患,差模电量会发生饱和现象,且功耗增加,不知大家有什么建议?

差模Layout位置距離MOSFET & Transformer最好超過15公分

另外走線的Trace太靠近則那根Trace還要再浪費一個差模

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北辰one
LV.1
24
2013-11-08 14:36
@林建良
差模Layout位置距離MOSFET&Transformer最好超過15公分另外走線的Trace太靠近則那根Trace還要再浪費一個差模
增加
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北辰one
LV.1
25
2013-11-08 14:40
@北辰one
增加
1.增加差模滤波器;2.调整变压器感量,使工作频率的2倍小于150K
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