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开关电源的输出短路保护

我做了一个反击式电源,加载,把输出短路后,输入的电流增加了一点点,同时PWM的波形,幅度变小,大概10V,脉宽变窄,比空载的宽了一点,请问各位大侠,这种情况短路保护起作用了吗,如果没保护,该如何处理,问题在哪
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2010-07-14 08:54

“把输出短路后,输入的电流增加了一点点”

这个增加是相对于满载的时候,还是相对于空载的时候?

如果是相对于空载的时候,那么保护电路起作用了。

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qfmike
LV.4
3
2010-07-14 13:33
@让你记得我的好
“把输出短路后,输入的电流增加了一点点”这个增加是相对于满载的时候,还是相对于空载的时候?如果是相对于空载的时候,那么保护电路起作用了。
在满载的时候,输出短路,输入电流增加了一点
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2010-07-14 13:42
@qfmike
在满载的时候,输出短路,输入电流增加了一点
如果短路的时候,输入电流比满载电流还大。那么短路保护电路没有发挥作用。
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qfmike
LV.4
5
2010-07-14 14:30
@让你记得我的好
如果短路的时候,输入电流比满载电流还大。那么短路保护电路没有发挥作用。
您认为主要是什么原因呢,怎么调整
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2010-07-14 14:39
@qfmike
您认为主要是什么原因呢,怎么调整
你先把你的电路图贴上来,才好给你建议啊
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贴片机
LV.8
7
2010-07-14 14:58
@让你记得我的好
你先把你的电路图贴上来,才好给你建议啊
对,贴图...
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qfmike
LV.4
8
2010-07-14 15:20
@贴片机
对,贴图...

 请指点

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2010-07-14 15:32
@qfmike
[图片] 请指点

没有看见你设置了输出短路保护电路啊?

你就是用3843本身的峰值电流保护的吧?这样子保护的话,你的MOS管会很热的吧,输入电流居然比满载时还大一点点,那么这些输入的能量去哪里了呢?

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qfmike
LV.4
10
2010-07-14 15:50
@让你记得我的好
没有看见你设置了输出短路保护电路啊?你就是用3843本身的峰值电流保护的吧?这样子保护的话,你的MOS管会很热的吧,输入电流居然比满载时还大一点点,那么这些输入的能量去哪里了呢?
是用峰值电流控制的,没有短路保护电路,应该以热能散发出去了
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2010-07-14 16:20
@qfmike
是用峰值电流控制的,没有短路保护电路,应该以热能散发出去了

如果是带负载的话,功率主要是消耗在负载上。

但短路后,负载是不消耗能量的。那么能量主要消耗在哪个或哪几个元件上呢?要检查一下哦,当心长时间短路烧机!

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qfmike
LV.4
12
2010-07-14 16:24
@让你记得我的好
如果是带负载的话,功率主要是消耗在负载上。但短路后,负载是不消耗能量的。那么能量主要消耗在哪个或哪几个元件上呢?要检查一下哦,当心长时间短路烧机!

主要MOS,和采样电阻,如果不加短路保护电路,有什么办法能改善吗

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2010-07-14 16:41
@qfmike
主要MOS,和采样电阻,如果不加短路保护电路,有什么办法能改善吗

我个人观点,你把R17阻值加大,加大到在最低输入电压下,能保证电路能启动。

把C30容量降低,比如47uF可不可以?甚至更低。

这样应该会有些帮助的。

主要思路就是,输出短路时,每路绕组输出电压都是零。3843靠C30能量维持工作。而C30电压跌到3843欠压保护点以后,电路停止工作。高压母线通过R17给C30充电,让3843再次开始工作,然后再次保护。那么降低C30容量,可以减少短路后,3843工作的时间。而增大R17,可以延长3843再次启动的时间。那么就可以减小短路时的功耗了。

但是加大R17阻值后,电源从接通输入电源,到开始工作这段时间会比以前长一些。不知道你是否能接受。

等你的实验结果哦!

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qfmike
LV.4
14
2010-07-14 16:46
@让你记得我的好
我个人观点,你把R17阻值加大,加大到在最低输入电压下,能保证电路能启动。把C30容量降低,比如47uF可不可以?甚至更低。这样应该会有些帮助的。主要思路就是,输出短路时,每路绕组输出电压都是零。3843靠C30能量维持工作。而C30电压跌到3843欠压保护点以后,电路停止工作。高压母线通过R17给C30充电,让3843再次开始工作,然后再次保护。那么降低C30容量,可以减少短路后,3843工作的时间。而增大R17,可以延长3843再次启动的时间。那么就可以减小短路时的功耗了。但是加大R17阻值后,电源从接通输入电源,到开始工作这段时间会比以前长一些。不知道你是否能接受。等你的实验结果哦!
有道理,这个想法曾经有过念头,谢谢
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2010-07-14 17:41
@qfmike
有道理,这个想法曾经有过念头,谢谢
不用客气,希望你能把修改后的实验结果到这里说一下,让我们大家都能学到知识。
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贴片机
LV.8
16
2010-07-14 17:46
@让你记得我的好
我个人观点,你把R17阻值加大,加大到在最低输入电压下,能保证电路能启动。把C30容量降低,比如47uF可不可以?甚至更低。这样应该会有些帮助的。主要思路就是,输出短路时,每路绕组输出电压都是零。3843靠C30能量维持工作。而C30电压跌到3843欠压保护点以后,电路停止工作。高压母线通过R17给C30充电,让3843再次开始工作,然后再次保护。那么降低C30容量,可以减少短路后,3843工作的时间。而增大R17,可以延长3843再次启动的时间。那么就可以减小短路时的功耗了。但是加大R17阻值后,电源从接通输入电源,到开始工作这段时间会比以前长一些。不知道你是否能接受。等你的实验结果哦!
对,R17用10K是有点小了,有100K左右差不多.R2也可以适当调整一下...实现打咯式短路保护...
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qfmike
LV.4
17
2010-07-15 09:01
@贴片机
对,R17用10K是有点小了,有100K左右差不多.R2也可以适当调整一下...实现打咯式短路保护...
 谢谢啊,确实保护了,因为输入电流下降了,而且是跳变,PWM在跳变。其实我是想用可控硅做一个过压保护,就是过压后使可控硅导通,变成短路保护,现在似乎也可以了,只是可控硅发烫,再请指点一下,谢谢
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qfmike
LV.4
18
2010-07-15 09:07
@qfmike
[图片] 谢谢啊,确实保护了,因为输入电流下降了,而且是跳变,PWM在跳变。其实我是想用可控硅做一个过压保护,就是过压后使可控硅导通,变成短路保护,现在似乎也可以了,只是可控硅发烫,再请指点一下,谢谢
我把R32对地并了一个1K的电阻,做过压保护,大约10多分钟了可控硅到现在还没坏,没改之前,可控硅一会就冒烟了
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2010-07-15 11:12
@qfmike
[图片] 谢谢啊,确实保护了,因为输入电流下降了,而且是跳变,PWM在跳变。其实我是想用可控硅做一个过压保护,就是过压后使可控硅导通,变成短路保护,现在似乎也可以了,只是可控硅发烫,再请指点一下,谢谢

过压保护的话,不知道你对过压保护的精度要求高不高?从你的图上来看,你是用稳压管来做保护判断的,应该精度不高的。

如果想比较可靠而有没有大的损耗的保护,可以考虑再加一路光耦,那样是最可靠,功耗也是最小的保护方式了。

还有,如果保护精度不是很高,也可以考虑从原边采样保护。因为反激原边供电绕组和次级输出电压是和匝数成比例关系的。

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qfmike
LV.4
20
2010-07-15 11:36
@让你记得我的好
过压保护的话,不知道你对过压保护的精度要求高不高?从你的图上来看,你是用稳压管来做保护判断的,应该精度不高的。如果想比较可靠而有没有大的损耗的保护,可以考虑再加一路光耦,那样是最可靠,功耗也是最小的保护方式了。还有,如果保护精度不是很高,也可以考虑从原边采样保护。因为反激原边供电绕组和次级输出电压是和匝数成比例关系的。

因为这个是在原来的电源上加的,而且现在空间又小,我做了一下试验,可以满足了,我还有一个问题,现在想做BOOST拓扑的升压电源,这种拓扑能做成隔离的吗

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2010-07-15 11:43
@qfmike
因为这个是在原来的电源上加的,而且现在空间又小,我做了一下试验,可以满足了,我还有一个问题,现在想做BOOST拓扑的升压电源,这种拓扑能做成隔离的吗

有BOOST型隔离电源,但是不常见。

说说你的电源的具体要求吧,也许有简单方案就可以实现呢?

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qfmike
LV.4
22
2010-07-15 12:31
@让你记得我的好
有BOOST型隔离电源,但是不常见。说说你的电源的具体要求吧,也许有简单方案就可以实现呢?
我要做一个DC转DC的升压电源,要隔离的,输入10--20V,输出24V,3A,先前用BOOST作了一个非隔离的,比较简单,想在原来的基础上改改
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2010-07-15 12:45
@qfmike
我要做一个DC转DC的升压电源,要隔离的,输入10--20V,输出24V,3A,先前用BOOST作了一个非隔离的,比较简单,想在原来的基础上改改

嗯,这么看来的确是用隔离型BOOST比较好。也可以考虑用传统的推挽来做。

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qfmike
LV.4
24
2010-07-15 12:48
@让你记得我的好
嗯,这么看来的确是用隔离型BOOST比较好。也可以考虑用传统的推挽来做。

但是,隔离的BOOST没有方案,不知道正激可以吗

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2010-07-15 12:52
@qfmike
但是,隔离的BOOST没有方案,不知道正激可以吗

隔离BOOST网上一搜索就有了呀,很多的。

 

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qfmike
LV.4
26
2010-07-15 13:13
@让你记得我的好
隔离BOOST网上一搜索就有了呀,很多的。[图片] 

这个推挽的有点复杂了,正激不可以吗,准备用EI40做,因为正好有个空板子

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2010-07-15 13:22
@qfmike
这个推挽的有点复杂了,正激不可以吗,准备用EI40做,因为正好有个空板子

正激也是可以的。但是低压输入时,MOS上的电流可不小,14A以上是有的。

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qfmike
LV.4
28
2010-07-15 13:30
@让你记得我的好
正激也是可以的。但是低压输入时,MOS上的电流可不小,14A以上是有的。
在输入10V的话,要9A的电流的,采样电阻差不多10W,用水泥电阻了,芯片采用3843可以吧
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2010-07-15 13:34
@qfmike
在输入10V的话,要9A的电流的,采样电阻差不多10W,用水泥电阻了,芯片采用3843可以吧
输入10V,9A是平均电流。占空比50%的话,MOS上的电流就是幅值达到18A以上的梯形波了。芯片用3843是可以,但电流采样损耗太大了,用电流互感器吧。
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qfmike
LV.4
30
2010-07-15 13:37
@让你记得我的好
输入10V,9A是平均电流。占空比50%的话,MOS上的电流就是幅值达到18A以上的梯形波了。芯片用3843是可以,但电流采样损耗太大了,用电流互感器吧。

那这个方案就是不可行了,有没有简单一点的拓扑,我的空间有限

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2010-07-15 13:39
@qfmike
那这个方案就是不可行了,有没有简单一点的拓扑,我的空间有限
要么你用3525或TL494做推挽的?
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