炸机分析

明显是驱动部分的问题,如果驱动过关不会烧所有MOS.

可是如果驱动有问题,那一跳变到电池模式就会炸机的啊.为什么还要十分钟甚至一个月才炸?而且我看了pull和push的波形没有问题.

抓了炸机时驱动和Vds波形吗?是否有异常?

没有抓到炸机时的波形,因为不管我怎么测试,他都没有炸机,也没有复制到炸机的现象.如果是pull-push变压器偏磁,转到电池模式就会炸机,放电那么久才炸机,而且温升正常,真郁闷!测试中mosfet的Vds的裕量很小,实测的值比额定值小十伏左右

应该是偏磁

我的看法是
变压器有匝间击穿

如果是变压器有匝间击穿的话,那么在修复后效率以及其它性能上都可能会发生变化,这样的话就不难分析.怕就是炸机修好后找不到任何异常的地方.我觉得VDS可能是裕量小了一点,在老化中机内温度上升,MOS受热而EAS下降导致炸机.建议留有60V裕量较为安全.

如果是管子炸了的话,只有二种原因,一是短时间大电流通过,二是MOS管DS间的电压太高.顺便问一句:你的功率管上有没有防反压电路?

本人也曾遇到类似问题,也是3K 的机子 mos管用的是IRF264,很奇怪的是驱动板都换了,还是一上电就把MOS管烧坏了.而且其中一个高压二极管也会跟着击穿,并联的高压电容换过了 还是无法解决 .

会不会是散热不好啊?

老化烧机,一般是散热不良引起的,分析如下:
1.电池供电,灯炮放电老化:烧机要看是在电池足够电量,还是在电量低时烧机.
2.要注意环境温度,老化机内的温度变化.
3.常温测出的温度,并不等于老化后的温度.
4.mosfet的Vds的裕量较小,开机几分钟不烧,应是正常;电池的电量越放越小,应没关系,也不同市电波动较大.
5.变压器匝间击穿的可能性很小:看看是一台样机烧,还是有多台烧机,这个测温度测的出来.
6.按图示测下温度差,不难找到问题.

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