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BUCK关断尖峰求助!

 


原理图如上,参数:Vin=40VDC,Vo=20VDC,f=114KHz


MOS管:IRF9540(P-MOS),             续流二极管:FR307,             L=330uH,                       输出电容:100uF


现在测量发现:MOS关断瞬间,S极对地有一个60V的尖峰(比Vin高了20V),同时D极对地有一个-20V的电压尖峰(此处我完全不理解,续流二极管为什么没有把它钳位?),这样的后果是:MOS管的S到D的电压有40 20 20=80V,此处尖峰太大!!请问大家此处该如何解决?谢谢!      

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2010-06-01 08:51
FR307速度太慢了? 还是FR307回路寄生电感大? 换肖特基管试. 减少寄生电感.
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53589
LV.2
3
2010-06-02 00:11
@deep_thought
FR307速度太慢了?还是FR307回路寄生电感大?换肖特基管试.减少寄生电感.

问题找到了,主要有两点:


1、FR307确实速度慢,我查了下资料,其反向恢复时间有500纳秒,换成肖特基管MBR3100之后,MOS管关断时,二极管开通时的尖峰(二极管两端)小了许多,大约只有几伏的样子,昨天世纪电源网上有人说是二极管(FR307)的正向恢复时间太长,我不太理解什么是二极管的正向恢复时间(难道类似反向恢复时间?)和它对此尖峰有何影响。


2、电路中的输入电容(图中未画出),位置离MOS管太远(外接的),造成了MOS关断时,S极对地的尖峰,今天在离MOS管很近的地方,对地加了一个47UF的电解电容和一个105电容之后,此尖峰也大大减小,大约只有几伏


采取以上措施以后,现在MOS关断时的尖峰已经小了许多,基本在10V以内,而且MOS两端现在也没有加任何吸收,下面我也贴一份资料,在网上找到的,作者专门介绍了大功率BUCK电路尖峰产生的原因及对策,比较有针对性,对解决我这个电路产生的问题有实际意义,分享一下。最后谢谢深思!


BUCK电路尖峰抑制 

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ygjlj
LV.1
4
2010-06-28 10:25
@53589
问题找到了,主要有两点:1、FR307确实速度慢,我查了下资料,其反向恢复时间有500纳秒,换成肖特基管MBR3100之后,MOS管关断时,二极管开通时的尖峰(二极管两端)小了许多,大约只有几伏的样子,昨天世纪电源网上有人说是二极管(FR307)的正向恢复时间太长,我不太理解什么是二极管的正向恢复时间(难道类似反向恢复时间?)和它对此尖峰有何影响。2、电路中的输入电容(图中未画出),位置离MOS管太远(外接的),造成了MOS关断时,S极对地的尖峰,今天在离MOS管很近的地方,对地加了一个47UF的电解电容和一个105电容之后,此尖峰也大大减小,大约只有几伏采取以上措施以后,现在MOS关断时的尖峰已经小了许多,基本在10V以内,而且MOS两端现在也没有加任何吸收,下面我也贴一份资料,在网上找到的,作者专门介绍了大功率BUCK电路尖峰产生的原因及对策,比较有针对性,对解决我这个电路产生的问题有实际意义,分享一下。最后谢谢深思![图片]BUCK电路尖峰抑制 
我现在在做一个buck-boost电路遇见了一些问题,我的QQ603418808希望能得到你的帮助
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2010-06-28 11:29
@53589
问题找到了,主要有两点:1、FR307确实速度慢,我查了下资料,其反向恢复时间有500纳秒,换成肖特基管MBR3100之后,MOS管关断时,二极管开通时的尖峰(二极管两端)小了许多,大约只有几伏的样子,昨天世纪电源网上有人说是二极管(FR307)的正向恢复时间太长,我不太理解什么是二极管的正向恢复时间(难道类似反向恢复时间?)和它对此尖峰有何影响。2、电路中的输入电容(图中未画出),位置离MOS管太远(外接的),造成了MOS关断时,S极对地的尖峰,今天在离MOS管很近的地方,对地加了一个47UF的电解电容和一个105电容之后,此尖峰也大大减小,大约只有几伏采取以上措施以后,现在MOS关断时的尖峰已经小了许多,基本在10V以内,而且MOS两端现在也没有加任何吸收,下面我也贴一份资料,在网上找到的,作者专门介绍了大功率BUCK电路尖峰产生的原因及对策,比较有针对性,对解决我这个电路产生的问题有实际意义,分享一下。最后谢谢深思![图片]BUCK电路尖峰抑制 
是的,二极管在导通的时候是有个瞬态过程的,因为载流子的迁移需要时间,所以二极管从截至到导通是需要时间的,在载流子刚开始迁移的时候,二极管的正向阻抗是非常大的,所以会引起很大的正向压降,当然这个压降和di/dt,以及电流大小有关。而慢管的迁移时间比较长,这种现象比较严重。肖特基就快许多。
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53589
LV.2
6
2013-12-19 08:38
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