1131100308.pdf
这个是我在网上找到的RCD计算公式
我的电源是 5V 升压到 275 V,3843 反激模式
根据其公式设计RCD吸收:
VBR(DSS):开关管的漏源极击穿电压,我用的MOSFET 耐压55V
VINMAX:最大输入直流电压,在我的案子中最大输入电压为15V
Vclamp = 0.9VBR(DSS) - VINMAX;
Vclamp = 0.9 * 55 - 15 = 34.5
Rc:箝位电阻
VOR:次级到初级的折射电压 ,我估计为 30V.
Vclamp:箝位电压
fs:变换器的工作频率,我的是 46Khz
Llk:初级绕组的漏感量,我用电感表测量,短路次级线圈,初级电感3uH,(初级 6t,电感16uH)
Ids_peak:开关管的最大峰值电流(即低压满载时的峰值电流) 我的最大峰值 1.5A
Rc = 2(Vclamp - VOR)*Vclamp / Llk *(Ids_peak*Ids_peak)*fs;
Rc = 2(34.5 - 30)* 34.5 /0.000003 * 1.5*1.5 * 46000 ＝ 1000
式中:Cc:箝位电容
Vclamp:箝位电压
△Vclamp:箝位电容上的脉动电压 取 箝位电压10%
Rc:箝位电阻
fs:变换器的工作频率
Cc >＝ Vclamp / (△Vclamp*Rc*fs) = 34.5 /(3.45 * 1000 * 46000) = 0.000000217;
所以,Rc 我取 1K, Cc 我取 0.22uF
各位前辈看看我计算是否有误?
