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单硅后级问题

刚做JJ本人菜鸟请多帮忙.EC42磁芯,分次初次初次次,初级0.72*3*4T*2,次级140T,不接后级空载电流300mm,接单硅后级空载650mm,现有两个问题:一是47UF电容发热严重,二是调节1M调频电位器容易击穿二极管307.请DX帮帮手
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11455355
LV.9
2
2009-08-12 16:05
上完整的后级图纸来.
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小杭
LV.3
3
2009-08-12 16:53
次级匝数多了,我110T已有850V了,你140T超过1000了,你电容耐压不够吧
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陈志刚
LV.3
4
2009-08-12 23:32
@11455355
上完整的后级图纸来.
多谢两位,图传不上来,是网上一般的单硅图,倍压电容47uF,电阻250k,触发电容154,关断电感1.5线65T,关断电容3UF,触发电路的两个电阻500k和1M可调,我试了110T不能触发,调节1M电位器至最大时烧整流307,至最小时烧另一个,不知那地方出错?
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陈志刚
LV.3
5
2009-08-12 23:32
@11455355
上完整的后级图纸来.
多谢两位,图传不上来,是网上一般的单硅图,倍压电容47uF,电阻250k,触发电容154,关断电感1.5线65T,关断电容3UF,触发电路的两个电阻500k和1M可调,我试了110T不能触发,调节1M电位器至最大时烧整流307,至最小时烧另一个,不知那地方出错?
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陈志刚
LV.3
6
2009-08-13 00:09
@11455355
调节频率电位器和烧整流二极管没有必然的关系,应该是电容击穿引起烧二极管,FR307不行就换HER308,电容热是耐压不够,110T输出就300V了,加上尖峰更高,450V电容顶不住了.可以2个450V100UF串联顶一个,倍压就需要4个
谢了兄弟,100T应该是300v吧,110T怎么不能触发,是否电感匝数少了呢?还是别的原因?电压可能是高了,今天我想测下变压器两端交流电压,搞得我一个新的表回厂家了
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11455355
LV.9
7
2009-08-13 00:32
@陈志刚
谢了兄弟,100T应该是300v吧,110T怎么不能触发,是否电感匝数少了呢?还是别的原因?电压可能是高了,今天我想测下变压器两端交流电压,搞得我一个新的表回厂家了
12V/4T=3V,3V*110=330V
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11455355
LV.9
8
2009-08-13 00:34
@陈志刚
谢了兄弟,100T应该是300v吧,110T怎么不能触发,是否电感匝数少了呢?还是别的原因?电压可能是高了,今天我想测下变压器两端交流电压,搞得我一个新的表回厂家了
不触发排除可控硅,DB3有故障的情形下,一般是分压取值不足了.
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陈志刚
LV.3
9
2009-08-13 00:51
@11455355
不触发排除可控硅,DB3有故障的情形下,一般是分压取值不足了.
呵呵,兄弟也是夜猫子,该休息了
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总版主hbzjcjw
LV.1
10
2009-08-13 01:11
此帖已被删除
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陈志刚
LV.3
11
2009-08-13 01:17
@总版主hbzjcjw
此帖已被删除
先谢谢兄弟大哥,呵呵都没休息呀,还没画好呢.
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11455355
LV.9
12
2009-08-13 01:41
@陈志刚
多谢两位,图传不上来,是网上一般的单硅图,倍压电容47uF,电阻250k,触发电容154,关断电感1.5线65T,关断电容3UF,触发电路的两个电阻500k和1M可调,我试了110T不能触发,调节1M电位器至最大时烧整流307,至最小时烧另一个,不知那地方出错?
调节频率电位器和烧整流二极管没有必然的关系,应该是电容击穿引起烧二极管,FR307不行就换HER308,
电容热是耐压不够,110T输出就300V了,加上尖峰更高,450V电容顶不住了.可以2个450V100UF串联顶一个,倍压就需要4个
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feng2
LV.2
13
2009-08-14 18:56
@陈志刚
先谢谢兄弟大哥,呵呵都没休息呀,还没画好呢.
次级圈数多了,电压太高.如果不改变压器就每个二极管现串上一个、每个电容也串上一个(容量加倍).
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陈志刚
LV.3
14
2009-08-14 19:57
@feng2
次级圈数多了,电压太高.如果不改变压器就每个二极管现串上一个、每个电容也串上一个(容量加倍).
谢谢楼上兄弟
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陈志刚
LV.3
15
2009-08-14 19:59
@feng2
次级圈数多了,电压太高.如果不改变压器就每个二极管现串上一个、每个电容也串上一个(容量加倍).
谢谢楼上兄弟
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林浩7856
LV.5
16
2014-08-27 16:51
电压高了      变压器初级4+4  次级85~100就好了
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