如何计算MOSFET管的驱动电流?

MOS管一般只计算驱动功率.
P＝V×Q×f

V——驱动电压
Q——栅极电荷
f——频率

怎么,我发现这个公司前面有个0.5的系数呢?哪位兄弟解释解释.
驱动功率:  
          
P=WF=0.5C F=0.5* *F*Q/U =0.5*F*QU
Q-----栅源电荷      
U-----栅源电压
F-----驱动信号频率
因此得出结论: 驱动信号相同的情况下,驱动功率取决于Q．

驱动电流的计算,我查到的资料是这样的,我也计算过,下面是转贴,我不确定到底是否正确.

在计算栅极驱动电流时,最常犯的一个错误就是将MOSFET的输入电容(CISS)和CEI混为一谈,于是会使用下面这个公式去计算峰值栅极电流.
  I = C(dv/dt)
  实际上,CEI的值比CISS高很多,必须要根据MOSFET生产商提供的栅极电荷(QG)指标计算.
  QG是MOSFET栅极电容的一部分,计算公式如下:
  QG = QGS + QGD + QOD
  其中:
  QG--总的栅极电荷 140
  QGS--栅极-源极电荷 28
  QGD--栅极-漏极电荷(Miller)74
  QOD--Miller电容充满后的过充电荷

可以看到,为了保证MOSFET导通,用来对CGS充电的VGS要比额定值高一些,而且CGS也要比VTH高.栅极电荷除以VGS等于CEI,栅极电荷除以导通时间等于所需的驱动电流(在规定的时间内导通).
用公式表示如下:
  QG = (CEI)(VGS)
  IG = QG/t导通   t导通=86+16=102ns  QG=140nc
则IG = QG/t导通=140/102=1.37A(IRFP250)(IR公司的)
UC384X系列芯片驱动存在问题.

请各位兄弟,给告诉一下,驱动电流和驱动功率的计算公式是否正确.

顶

我认识你啊(哲别),你是名人的团长呵呵!

要生策4了,名人该成何名啊?欢迎我加入吗?

写的好!很详细

 

 QG = (CEI)(VGS)
  IG = QG/t导通   t导通=86+16=102ns  QG=140nc
则IG = QG/t导通=140/102=1.37A(IRFP250)(IR公司的)
请问 t导通=86+16=102ns 中的86和16从哪里来的数据？

那我在设计辅助电源的时候是否也可以按照这个算出来的功率加一点余量就可以？

请问兄台，最后的这个计算方法得到正确性验证了吗？