IGBT为什么烧了?请各位大侠帮帮忙!!!
交流三相380V输入,经过全波整流得到直流电压(550VDC),经过BUCK电路得到310VDC,电流3A,控制芯片为TL494,磁环为PQ50,这种方法可行吗?请各位大狭赐教,不胜感激!!!!!!!!!!!!! 为什么当输入的直流电压为250VDC,通过改变采样电阻,使输出200VDC/1.5A时可以正常工作,但当输入的直流电压达到330VDC时,IGBT突然烧掉,IGBT的G,C,E之间全通,请问各位大侠帮忙分析一下!!!!!!!!!!!!!急盼!!!!!!
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@世界真奇妙
电压升高会使电感的峰值电流上升,所以首先要确认电感没有饱和的问题.电压升高会导致IGBT开关损耗大幅度上升,如果没有任何措施,炸管不可避免.如果工作在CCM状态,续流二极管在反相恢复时间内几乎为短路状态,不仅自身的损耗大,由于它和IGBT串联后接供电电源,会使IGBT的开通损耗随电压升高大幅度上升.两点建议:1.电源的电流容量不大,完全没有必要用IGBT,用MOS管做要好做得多,IGBT的开关损耗远比MOS管大.2.续流二极管要用优质超快二极管..
谢谢您了!!!!!!现在的情况是当输入的直流电压达到400VDC时,通过改变采样电阻使输出电压为200VDC,输出电流2A,工作一会IGBT就会直通而损坏,IGBT的g,c,e之间全部通了,散热片温度并不高,用示波器看IGBT的e级与地线的电压情况如下:电压的上升时间为200ns,下降时间为1us,(200ns应该就是IGBT的上升时间,1us就是开关管的关断时间,这样理解对吗?)开关频率为55K,续流二极管超快恢复二极管,电感L=4mH,请您给予指点?
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@jack7612
我的示波器的波形没法下载,和书上讲的波形差不多!!!
啊 我做的是半桥拓扑的 20Khz 带变压器电压升到200V就烧管了 电流不大(<0.5A) 同时烧两个,感觉像是直通了,G C E三端短路,没有找到原因. 我用IR2213做驱动,按照下图做的驱动,但发现上桥臂驱动并没有负偏压(直接量测量GE),下臂驱动很好不知道那位能解释一下!500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/31/1120728931.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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再强调一次,首先要确认电感没有饱和的问题,先纠正一点,PQ50不是磁环,这个电感必须有气隙,是不能用铁氧体磁环做的.把你绕制的匝数和气隙大小帖上来.
你用的IGBT是什么型号?帖上来,其开关速度是可以从技术资料上查到的,示波器上的波形上升和下降时间不能完全说明问题.
降低IGBT开关损耗最简单的措施是在其C,E间并RC吸收电路.没有RC吸收电路,在30K以上工作频率时,往往管子不热就会损坏.
降低你的工作频率到30K以下.
根据你第3帖提供的数据,电路工作在CCM状态,效率很低,IGBT和续流二极管发热都大,可靠性差.要让电路工作在DCM(电流不连续)状态.
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你用的IGBT是什么型号?帖上来,其开关速度是可以从技术资料上查到的,示波器上的波形上升和下降时间不能完全说明问题.
降低IGBT开关损耗最简单的措施是在其C,E间并RC吸收电路.没有RC吸收电路,在30K以上工作频率时,往往管子不热就会损坏.
降低你的工作频率到30K以下.
根据你第3帖提供的数据,电路工作在CCM状态,效率很低,IGBT和续流二极管发热都大,可靠性差.要让电路工作在DCM(电流不连续)状态.
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@世界真奇妙
再强调一次,首先要确认电感没有饱和的问题,先纠正一点,PQ50不是磁环,这个电感必须有气隙,是不能用铁氧体磁环做的.把你绕制的匝数和气隙大小帖上来.你用的IGBT是什么型号?帖上来,其开关速度是可以从技术资料上查到的,示波器上的波形上升和下降时间不能完全说明问题.降低IGBT开关损耗最简单的措施是在其C,E间并RC吸收电路.没有RC吸收电路,在30K以上工作频率时,往往管子不热就会损坏.降低你的工作频率到30K以下.根据你第3帖提供的数据,电路工作在CCM状态,效率很低,IGBT和续流二极管发热都大,可靠性差.要让电路工作在DCM(电流不连续)状态..
"在30K以上工作频率时,往往管子不热就会损坏."
为什么,此时损坏管子的表现是怎样的,三端短路吗?
为什么,此时损坏管子的表现是怎样的,三端短路吗?
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@世界真奇妙
再强调一次,首先要确认电感没有饱和的问题,先纠正一点,PQ50不是磁环,这个电感必须有气隙,是不能用铁氧体磁环做的.把你绕制的匝数和气隙大小帖上来.你用的IGBT是什么型号?帖上来,其开关速度是可以从技术资料上查到的,示波器上的波形上升和下降时间不能完全说明问题.降低IGBT开关损耗最简单的措施是在其C,E间并RC吸收电路.没有RC吸收电路,在30K以上工作频率时,往往管子不热就会损坏.降低你的工作频率到30K以下.根据你第3帖提供的数据,电路工作在CCM状态,效率很低,IGBT和续流二极管发热都大,可靠性差.要让电路工作在DCM(电流不连续)状态..
大侠,您好,PQ50的匝数为160T,有2.5mm的气息,L=3.3mH,IGBT为IRG4PF50WD,这个RC的数值怎么确定,频率为30K.1120785131.pdf
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@世界真奇妙
再强调一次,首先要确认电感没有饱和的问题,先纠正一点,PQ50不是磁环,这个电感必须有气隙,是不能用铁氧体磁环做的.把你绕制的匝数和气隙大小帖上来.你用的IGBT是什么型号?帖上来,其开关速度是可以从技术资料上查到的,示波器上的波形上升和下降时间不能完全说明问题.降低IGBT开关损耗最简单的措施是在其C,E间并RC吸收电路.没有RC吸收电路,在30K以上工作频率时,往往管子不热就会损坏.降低你的工作频率到30K以下.根据你第3帖提供的数据,电路工作在CCM状态,效率很低,IGBT和续流二极管发热都大,可靠性差.要让电路工作在DCM(电流不连续)状态..
大侠,小弟着这边等着您的指点
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@世界真奇妙
再强调一次,首先要确认电感没有饱和的问题,先纠正一点,PQ50不是磁环,这个电感必须有气隙,是不能用铁氧体磁环做的.把你绕制的匝数和气隙大小帖上来.你用的IGBT是什么型号?帖上来,其开关速度是可以从技术资料上查到的,示波器上的波形上升和下降时间不能完全说明问题.降低IGBT开关损耗最简单的措施是在其C,E间并RC吸收电路.没有RC吸收电路,在30K以上工作频率时,往往管子不热就会损坏.降低你的工作频率到30K以下.根据你第3帖提供的数据,电路工作在CCM状态,效率很低,IGBT和续流二极管发热都大,可靠性差.要让电路工作在DCM(电流不连续)状态..
真正的高手,出现烧IGBT是我的电感饱和了,非常谢谢!!!!
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@世界真奇妙
请按如下方案一试:供电直流电压540VDC,经过BUCK电路输出310VDC,电流3A.电感:气隙不变,拆掉86匝,保留74匝,L=700微亨TL494单端工作方式.频率:20KHz,周期50微秒,最大占空比47%,最大脉宽23.5微秒IGBT的C,E吸收电路R=30-51欧,C=2n2-3n3,实验决定.IGBT的驱动最好用图腾柱式输出的光耦,如TLP250,隔离驱动..
大侠,我现在又遇到一个问题,麻烦你指点一二,我做的这个310VDC/3A的电源是用来驱动电动机的,现在的问题是当电机不转时,输出电压为310VDC,但是当电机在加速的瞬间输出电压为270VDC,加速结束后以恒定转速运行时电压为300VDC,当电机制动时,电机处于发电状态,此时的输出电压为370VDC,请问大侠,这个问题该怎样解决?谢谢您了!!!!!!
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@世界真奇妙
请按如下方案一试:供电直流电压540VDC,经过BUCK电路输出310VDC,电流3A.电感:气隙不变,拆掉86匝,保留74匝,L=700微亨TL494单端工作方式.频率:20KHz,周期50微秒,最大占空比47%,最大脉宽23.5微秒IGBT的C,E吸收电路R=30-51欧,C=2n2-3n3,实验决定.IGBT的驱动最好用图腾柱式输出的光耦,如TLP250,隔离驱动..
大侠,我的系统在突然加载时电压掉的很厉害,空载时输出336VDC,突然电动机加速电压掉到300VDC,加速完成后恒转速运行电压为326VDC,现在不存在双向流的问题,请问怎么解决?
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