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反激式变压器详细设计过程(含CCM与DCM两种模式),各位帮忙看看

第一次设计变压器,各位帮忙看看有什么不合适的地方,请指正,多谢:)
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2009-04-02 13:48
高频变压器计算(CCM模式)
反激式DC/DC变换电路
电路基本参数:
Vo1=15V   Io1=0.4A
Vo2=-10V   Io2=0.4A
Vs=15V(范围10V~20V)
Po=10W
设定参数:
1.电路工作频率(根据UC3843的特性,初步确定为50KHz),电路效率为G=75%
2.反激式变换器的工作模式CCM
3.占空比确定(Dmax=0.4)
4.磁芯选型(EE型)
设计步骤
(1)选择磁芯大小
Pin=Po/G=10/0.75=13.3W(查表),选择EE19磁芯
(2)计算导通时间
Dmax=0.4,工作频率fs=50KHz
ton=8us
(3)选择工作时的磁通密度
根据所选择的磁芯EE19(PC40材料)Ae=22mm2,Bmax=0.22T
(4)计算原边匝数
Np=(Vs*ton)/(Bmax*Ae)=(10*8)/(0.22*22)=16.52,取整16
(5)计算副边绕组
以输出电压为15V为例进行计算,设整流二极管及绕组的压降为1V
15+1=16V
原边绕组每匝伏数=Vs/Np=10/16=0.625V/匝
副边绕组匝数Ns1=16/0.625=25.6,取整26
(6)计算选定匝数下的占空比;辅助输出绕组匝数
新的每匝的反激电压为:16/26=0.615V
ton=(Ts*0.615)/(0.625+0.615)=9.92us
占空比D=9.92/20=0.496
对于10V直流输出,考虑绕组及二极管压降1V后为11V
Ns2=11/0.615=17.88,取整17
(7)初级电感,气隙的计算
在周期Ts内的平均输入电流Is=Pin/Vs=13.3/10=1.33A
导通时间内相应的平均值为Iave=(Is*Ts)/ton=1.33*20/9.92=2.68A
开关管导通前的电流值Ip1=Iave/2=2.68/2=1.34A
开关管关闭前的电流值Ip2=3Ip1=1.34*3=4.02A
初级电感量Lp=Vs*&t/&i=10*9.92/2.68=37.01uH
气隙长度Lg=(u0*Np^2*Ae)/Lp=0.19mm
(8)检测磁芯磁通密度和饱和区间
计算磁心饱和边界.计算交流磁通产生的磁感应强度变化幅值:
△Bac=(Vs*ton)/(Ae*Np)=(10*9.92)/(16*22)=0.282T
使用磁感应强度与直流电有关的关系式计算直流成分Bdc
假设磁芯所有的磁阻都集中在气隙中,显然作为一个比较保守的结果,可求得一个较高的直流磁感应强度.此近似值允许使用一个简单的公式
Bdc=u*H=u0*Np*Ip1/(Lg*0.001)=0.142T
交流和直流磁感应强度之和得到磁感应强度最大值为
Bmax=△Bac/2+Bdc=0.141+0.142=0.283T<0.39T
(9)选择导线
●初级电流有效值为:
Krp=0.667
Irms=Ip*sqr(Dmax*(Krp^2*1/3-Krp+1))= 1.96A,
选取电流密度为4A/mm2
则导线线径为:D=1.13(I/J)^1/2=0.792mm
选择AWG20导线
注:由于高频电流在导体中会有趋肤效应,所以在确定线经时还要计算不同频率时导体的穿透深度.公式:d=66.1/(f)^1/2.如果计算出的线径D大于两倍的穿透深度,就需要采用多股线或利兹线
考虑集肤效应, d=66.1/(f)^1/2=66.1/50000^1/2=0.296mm,2*d=0.592mm<0.792mm
则初级导线需要采用多股线并绕
AWG20导线的截面积为Sc=0.606mm2,采用AWG23导线双股并绕截面积Sc=0.3135*2=0.627mm2>0.606mm2
● 15V次级输出电流峰值为:
Isp1=(Ip*Np/Ns1)*(Po1/Po)=1.484A
有效值为Isrms1=Isp1*sqr[(1-Dmax)*(Krp^2*1/3-Krp+1)]=0.731A
则导线线径为:D=1.13(I/J)^1/2=0.483mm
选择AWG25导线
● -10V次级输出电流峰值为:
Isp2=(Ip*Np/Ns2)*(Po2/Po)=1.513A
有效值为Isrms2=Isp2*sqr[(1-Dmax)*(Krp^2*1/3-Krp+1)]=0.745 A
则导线线径为:D=1.13(I/J)^1/2=0.487mm
选择AWG25导线

◆◆◆磁芯及骨架分别采用TDK公司的PC40EE19-Z,BE19-118CPHFR◆◆◆
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2009-04-02 13:49
高频变压器计算(DCM模式)
电路基本参数:
Vo1=15V   Io1=0.4A
Vo2=-10V   Io2=0.4A
Vin=15V(范围10V~20V)
Po=10W
设定参数:
1.电路工作频率(根据UC3843的特性,初步确定为50KHz),电路效率为G=75%
2.反激式变换器的工作模式DCM
3.占空比确定(Dmax=0.4)
4.磁芯选型(EE型)
设计步骤:
先选定一个工作点(即最小输入电压,最大占空比的情况):
(1)初级峰值电流
Ip=2 Po/(G*Vinmin*Dmax)=2*10/(0.75*10*0.4)=6.67A
(2)初级电感量
Lp=Dmax* Vinmin /fs*△Ip=0.012mH
(3)选择TDK的铁氧体磁芯PC40
其温升100摄氏度时饱和磁通密度为390mT,取工作Bmax为220mT
AeAw=(Lp* Ip22 * 104/Bw*K0 *Kj)1.14
其中Bw=0.22,K0=0.4;Kj=395A/cm2 ;
计算得AeAw=0.118
选择PC40EE19的磁芯,其AeAw=0.22*0.054=0.119cm4>0.118cm4
(4)计算气隙
Lg=0.4Л* Lp*Ip2/Ae*Bmax2 =0.63mm
(5)变压器初级匝数
Np=(Lp*Ip)*104/(Ae*Bmax)=16.54匝,取整16匝.
(6)变压器次级匝数
设次级二极管压降及绕线压降为Vd=1V
15V次级绕组匝数Ns1=Np(Vo1+Vd)(1-Dmax)/(Vmin*Dmax)=38.4, 取整38匝.
-10V次级绕组匝数Ns2= Np(Vo2+Vd)(1-Dmax)/(Vmin*Dmax)=26.4, 取整26匝.
(7)导线线径的选择
断续模式下Krp=1,选择电流密度为4A/mm2
●初级有效电流Irms=Ip*sqr(Dmax*(Krp^2*1/3-Krp+1))= Ip*sqr (Dmax/3)=2.44A
可以得原边导线直径d=1.13*sqr(Irms/J)=1.13*sqr(2.44/4)=0.882mm
选择AWG20#线
注:由于高频电流在导体中会有趋肤效应,所以在确定线经时还要计算不同频率时导体的穿透深度.公式:d=66.1/(f)^1/2.如果计算出的线径D大于两倍的穿透深度,就需要采用多股线或利兹线
考虑集肤效应, d=66.1/(f)^1/2=66.1/50000^1/2=0.296mm,2*d=0.592mm<0.882mm
则初级导线需要采用多股线并绕
AWG20导线的截面积为Sc=0.606mm2,采用AWG23导线双股并绕截面积Sc=0.3135*2=0.627mm2>0.606mm2
●15V次级峰值电流
Isp1=(Ip*Np/Ns1)*(Po1/Po)=1.685A
有效值为Isrms1=Isp1*sqr[(1-Dmax)*(Krp^2*1/3-Krp+1)]= Isp1*sqr ((1-Dmax)/3)=0.753A
则导线线径为:D=1.13(Isrms1/J)^1/2=0.490mm
选择AWG25导线
●-10V次级峰值电流
Isp2=(Ip*Np/Ns2)*(Po2/Po)=1.642A
有效值为Isrms2=Isp2*sqr[(1-Dmax)*(Krp^2*1/3-Krp+1)]= Isp2*sqr ((1-Dmax)/3)=0.734A
则导线线径为:D=1.13(Isrms2/J)^1/2=0.484mm
选择AWG25导线


◆◆◆磁芯及骨架分别采用TDK公司的PC40EE19-Z,BE19-118CPHFR◆◆◆
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2009-04-02 18:16
按这个计算结果给变压器厂做样品,他们说是有一些问题,主要是绕线绕不下,是不是选的磁芯太小了?各位给个意见吧,急
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wjduestc
LV.3
5
2009-04-02 23:34
@liuzhaojuan
按这个计算结果给变压器厂做样品,他们说是有一些问题,主要是绕线绕不下,是不是选的磁芯太小了?各位给个意见吧,急
"选择PC40EE19的磁芯,其AeAw=0.22*0.054=0.119cm4>0.118cm4 "

你的选择也太接近计算值了吧,我看到的变压器,AeAw一般都大于计算值不少!
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2009-04-03 10:07
@wjduestc
"选择PC40EE19的磁芯,其AeAw=0.22*0.054=0.119cm4>0.118cm4"你的选择也太接近计算值了吧,我看到的变压器,AeAw一般都大于计算值不少!
谢谢你的回复,我现在觉得也是这个问题,考虑把磁芯加大一点,选择EE22的,正在计算
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2009-04-06 10:21
@liuzhaojuan
谢谢你的回复,我现在觉得也是这个问题,考虑把磁芯加大一点,选择EE22的,正在计算
自己顶一下
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2009-04-08 10:56
@liuzhaojuan
高频变压器计算(CCM模式)反激式DC/DC变换电路电路基本参数:Vo1=15V  Io1=0.4AVo2=-10V  Io2=0.4AVs=15V(范围10V~20V)Po=10W设定参数:1.电路工作频率(根据UC3843的特性,初步确定为50KHz),电路效率为G=75%2.反激式变换器的工作模式CCM3.占空比确定(Dmax=0.4)4.磁芯选型(EE型)设计步骤(1)选择磁芯大小Pin=Po/G=10/0.75=13.3W(查表),选择EE19磁芯(2)计算导通时间Dmax=0.4,工作频率fs=50KHzton=8us(3)选择工作时的磁通密度根据所选择的磁芯EE19(PC40材料)Ae=22mm2,Bmax=0.22T(4)计算原边匝数Np=(Vs*ton)/(Bmax*Ae)=(10*8)/(0.22*22)=16.52,取整16(5)计算副边绕组以输出电压为15V为例进行计算,设整流二极管及绕组的压降为1V15+1=16V原边绕组每匝伏数=Vs/Np=10/16=0.625V/匝副边绕组匝数Ns1=16/0.625=25.6,取整26(6)计算选定匝数下的占空比;辅助输出绕组匝数新的每匝的反激电压为:16/26=0.615Vton=(Ts*0.615)/(0.625+0.615)=9.92us占空比D=9.92/20=0.496对于10V直流输出,考虑绕组及二极管压降1V后为11VNs2=11/0.615=17.88,取整17(7)初级电感,气隙的计算在周期Ts内的平均输入电流Is=Pin/Vs=13.3/10=1.33A导通时间内相应的平均值为Iave=(Is*Ts)/ton=1.33*20/9.92=2.68A开关管导通前的电流值Ip1=Iave/2=2.68/2=1.34A开关管关闭前的电流值Ip2=3Ip1=1.34*3=4.02A初级电感量Lp=Vs*&t/&i=10*9.92/2.68=37.01uH气隙长度Lg=(u0*Np^2*Ae)/Lp=0.19mm(8)检测磁芯磁通密度和饱和区间计算磁心饱和边界.计算交流磁通产生的磁感应强度变化幅值:△Bac=(Vs*ton)/(Ae*Np)=(10*9.92)/(16*22)=0.282T使用磁感应强度与直流电有关的关系式计算直流成分Bdc假设磁芯所有的磁阻都集中在气隙中,显然作为一个比较保守的结果,可求得一个较高的直流磁感应强度.此近似值允许使用一个简单的公式Bdc=u*H=u0*Np*Ip1/(Lg*0.001)=0.142T交流和直流磁感应强度之和得到磁感应强度最大值为Bmax=△Bac/2+Bdc=0.141+0.142=0.283T
你的CCM模式第8步第9步的u0是指什么呀,DCM模式下计算气隙的公式中的Ip2,Bmax2都是指什么呀,是不是写错了?还有在选择原边导线时,单股绕制选择AWG20,改为双股为什么就选择AWG23?
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2009-04-08 12:59
@sunflower666
你的CCM模式第8步第9步的u0是指什么呀,DCM模式下计算气隙的公式中的Ip2,Bmax2都是指什么呀,是不是写错了?还有在选择原边导线时,单股绕制选择AWG20,改为双股为什么就选择AWG23?
U0是磁导率,Ip2,Bmax2分别就Ip.Bmax的平方,最后一个问题是考虑趋肤效应
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2009-04-08 19:02
@liuzhaojuan
U0是磁导率,Ip2,Bmax2分别就Ip.Bmax的平方,最后一个问题是考虑趋肤效应
最后一个问题的意思是刚开始根据导线直径选择AWG20,后来根据趋肤效应选择双股线绕制,但为什么就把线型改为AWG23了呢,是根据什么改的线型,是只要双股线绕制就比单股线绕制线型低三个等级吗
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liuzhaojuan
LV.2
11
2009-04-10 11:11
@sunflower666
最后一个问题的意思是刚开始根据导线直径选择AWG20,后来根据趋肤效应选择双股线绕制,但为什么就把线型改为AWG23了呢,是根据什么改的线型,是只要双股线绕制就比单股线绕制线型低三个等级吗
根据截面积
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灵泉
LV.3
12
2009-04-10 16:35
@liuzhaojuan
高频变压器计算(CCM模式)反激式DC/DC变换电路电路基本参数:Vo1=15V  Io1=0.4AVo2=-10V  Io2=0.4AVs=15V(范围10V~20V)Po=10W设定参数:1.电路工作频率(根据UC3843的特性,初步确定为50KHz),电路效率为G=75%2.反激式变换器的工作模式CCM3.占空比确定(Dmax=0.4)4.磁芯选型(EE型)设计步骤(1)选择磁芯大小Pin=Po/G=10/0.75=13.3W(查表),选择EE19磁芯(2)计算导通时间Dmax=0.4,工作频率fs=50KHzton=8us(3)选择工作时的磁通密度根据所选择的磁芯EE19(PC40材料)Ae=22mm2,Bmax=0.22T(4)计算原边匝数Np=(Vs*ton)/(Bmax*Ae)=(10*8)/(0.22*22)=16.52,取整16(5)计算副边绕组以输出电压为15V为例进行计算,设整流二极管及绕组的压降为1V15+1=16V原边绕组每匝伏数=Vs/Np=10/16=0.625V/匝副边绕组匝数Ns1=16/0.625=25.6,取整26(6)计算选定匝数下的占空比;辅助输出绕组匝数新的每匝的反激电压为:16/26=0.615Vton=(Ts*0.615)/(0.625+0.615)=9.92us占空比D=9.92/20=0.496对于10V直流输出,考虑绕组及二极管压降1V后为11VNs2=11/0.615=17.88,取整17(7)初级电感,气隙的计算在周期Ts内的平均输入电流Is=Pin/Vs=13.3/10=1.33A导通时间内相应的平均值为Iave=(Is*Ts)/ton=1.33*20/9.92=2.68A开关管导通前的电流值Ip1=Iave/2=2.68/2=1.34A开关管关闭前的电流值Ip2=3Ip1=1.34*3=4.02A初级电感量Lp=Vs*&t/&i=10*9.92/2.68=37.01uH气隙长度Lg=(u0*Np^2*Ae)/Lp=0.19mm(8)检测磁芯磁通密度和饱和区间计算磁心饱和边界.计算交流磁通产生的磁感应强度变化幅值:△Bac=(Vs*ton)/(Ae*Np)=(10*9.92)/(16*22)=0.282T使用磁感应强度与直流电有关的关系式计算直流成分Bdc假设磁芯所有的磁阻都集中在气隙中,显然作为一个比较保守的结果,可求得一个较高的直流磁感应强度.此近似值允许使用一个简单的公式Bdc=u*H=u0*Np*Ip1/(Lg*0.001)=0.142T交流和直流磁感应强度之和得到磁感应强度最大值为Bmax=△Bac/2+Bdc=0.141+0.142=0.283T
根据你的计算,
Lp=37uH
Ipk=4.02A
Ae=0.22cm^2
Np=16T
B=L*I/(N*Ae)=0.42T
饱和了.你的圈数/圈比算法有问题.
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2009-04-13 08:32
@liuzhaojuan
根据截面积
我的意思是有什么具体的计算公式,我现在设计的变压器原边导线直径为0.884mm,选用AWG19,经过计算要选用双股并绕方式,那应该根据什么计算双股并绕的导线型号呢
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ddbb952
LV.2
14
2009-04-23 15:28
在CCM模式中计算次级峰值电流的公式对吗?为什么还要乘以功率的比呢?
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liuzhaojuan
LV.2
15
2009-04-28 12:27
@ddbb952
在CCM模式中计算次级峰值电流的公式对吗?为什么还要乘以功率的比呢?
因为这是多路输出的
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磁缘
LV.6
16
2009-04-28 17:00
@liuzhaojuan
高频变压器计算(CCM模式)反激式DC/DC变换电路电路基本参数:Vo1=15V  Io1=0.4AVo2=-10V  Io2=0.4AVs=15V(范围10V~20V)Po=10W设定参数:1.电路工作频率(根据UC3843的特性,初步确定为50KHz),电路效率为G=75%2.反激式变换器的工作模式CCM3.占空比确定(Dmax=0.4)4.磁芯选型(EE型)设计步骤(1)选择磁芯大小Pin=Po/G=10/0.75=13.3W(查表),选择EE19磁芯(2)计算导通时间Dmax=0.4,工作频率fs=50KHzton=8us(3)选择工作时的磁通密度根据所选择的磁芯EE19(PC40材料)Ae=22mm2,Bmax=0.22T(4)计算原边匝数Np=(Vs*ton)/(Bmax*Ae)=(10*8)/(0.22*22)=16.52,取整16(5)计算副边绕组以输出电压为15V为例进行计算,设整流二极管及绕组的压降为1V15+1=16V原边绕组每匝伏数=Vs/Np=10/16=0.625V/匝副边绕组匝数Ns1=16/0.625=25.6,取整26(6)计算选定匝数下的占空比;辅助输出绕组匝数新的每匝的反激电压为:16/26=0.615Vton=(Ts*0.615)/(0.625+0.615)=9.92us占空比D=9.92/20=0.496对于10V直流输出,考虑绕组及二极管压降1V后为11VNs2=11/0.615=17.88,取整17(7)初级电感,气隙的计算在周期Ts内的平均输入电流Is=Pin/Vs=13.3/10=1.33A导通时间内相应的平均值为Iave=(Is*Ts)/ton=1.33*20/9.92=2.68A开关管导通前的电流值Ip1=Iave/2=2.68/2=1.34A开关管关闭前的电流值Ip2=3Ip1=1.34*3=4.02A初级电感量Lp=Vs*&t/&i=10*9.92/2.68=37.01uH气隙长度Lg=(u0*Np^2*Ae)/Lp=0.19mm(8)检测磁芯磁通密度和饱和区间计算磁心饱和边界.计算交流磁通产生的磁感应强度变化幅值:△Bac=(Vs*ton)/(Ae*Np)=(10*9.92)/(16*22)=0.282T使用磁感应强度与直流电有关的关系式计算直流成分Bdc假设磁芯所有的磁阻都集中在气隙中,显然作为一个比较保守的结果,可求得一个较高的直流磁感应强度.此近似值允许使用一个简单的公式Bdc=u*H=u0*Np*Ip1/(Lg*0.001)=0.142T交流和直流磁感应强度之和得到磁感应强度最大值为Bmax=△Bac/2+Bdc=0.141+0.142=0.283T
ccm中采用这种方法来计算次级绕组匝数:
"原边绕组每匝伏数=Vs/Np=10/16=0.625V/匝
副边绕组匝数Ns1=16/0.625=25.6,取整26 "
上式成立时已经将其Dmax取到接近0.50,为什么不用DCM中计算匝数的方式呢?
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磁缘
LV.6
17
2009-04-28 17:06
@灵泉
根据你的计算,Lp=37uHIpk=4.02AAe=0.22cm^2Np=16TB=L*I/(N*Ae)=0.42T饱和了.你的圈数/圈比算法有问题.
"B=L*I/(N*Ae)=0.42T"
你理解错了,此式中的B准确来说应该是Bdc,且式中的I应该是Ip1而不是Ip2
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pads2005pcb
LV.7
18
2009-08-17 15:23
@liuzhaojuan
因为这是多路输出的
按我的公式计算了一个CCM的变压器,你看看. 2762991250493808.doc
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liufei2006
LV.4
19
2009-08-22 09:51
@pads2005pcb
按我的公式计算了一个CCM的变压器,你看看.2762991250493808.doc
能请教一个问题吗,我很急的,我要做一款变压器,要求,输入;13VAC-20VAC,输出:  1组:12VDC-1.2A   2组:8VDC-2A,  频率为33KHz, 半波整流,隔离变压器,请帮忙设计规格,圈数和线经好吗,,谢谢了,!!!!
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舒理
LV.3
20
2009-09-04 17:21
@liuzhaojuan
高频变压器计算(CCM模式)反激式DC/DC变换电路电路基本参数:Vo1=15V  Io1=0.4AVo2=-10V  Io2=0.4AVs=15V(范围10V~20V)Po=10W设定参数:1.电路工作频率(根据UC3843的特性,初步确定为50KHz),电路效率为G=75%2.反激式变换器的工作模式CCM3.占空比确定(Dmax=0.4)4.磁芯选型(EE型)设计步骤(1)选择磁芯大小Pin=Po/G=10/0.75=13.3W(查表),选择EE19磁芯(2)计算导通时间Dmax=0.4,工作频率fs=50KHzton=8us(3)选择工作时的磁通密度根据所选择的磁芯EE19(PC40材料)Ae=22mm2,Bmax=0.22T(4)计算原边匝数Np=(Vs*ton)/(Bmax*Ae)=(10*8)/(0.22*22)=16.52,取整16(5)计算副边绕组以输出电压为15V为例进行计算,设整流二极管及绕组的压降为1V15+1=16V原边绕组每匝伏数=Vs/Np=10/16=0.625V/匝副边绕组匝数Ns1=16/0.625=25.6,取整26(6)计算选定匝数下的占空比;辅助输出绕组匝数新的每匝的反激电压为:16/26=0.615Vton=(Ts*0.615)/(0.625+0.615)=9.92us占空比D=9.92/20=0.496对于10V直流输出,考虑绕组及二极管压降1V后为11VNs2=11/0.615=17.88,取整17(7)初级电感,气隙的计算在周期Ts内的平均输入电流Is=Pin/Vs=13.3/10=1.33A导通时间内相应的平均值为Iave=(Is*Ts)/ton=1.33*20/9.92=2.68A开关管导通前的电流值Ip1=Iave/2=2.68/2=1.34A开关管关闭前的电流值Ip2=3Ip1=1.34*3=4.02A初级电感量Lp=Vs*&t/&i=10*9.92/2.68=37.01uH气隙长度Lg=(u0*Np^2*Ae)/Lp=0.19mm(8)检测磁芯磁通密度和饱和区间计算磁心饱和边界.计算交流磁通产生的磁感应强度变化幅值:△Bac=(Vs*ton)/(Ae*Np)=(10*9.92)/(16*22)=0.282T使用磁感应强度与直流电有关的关系式计算直流成分Bdc假设磁芯所有的磁阻都集中在气隙中,显然作为一个比较保守的结果,可求得一个较高的直流磁感应强度.此近似值允许使用一个简单的公式Bdc=u*H=u0*Np*Ip1/(Lg*0.001)=0.142T交流和直流磁感应强度之和得到磁感应强度最大值为Bmax=△Bac/2+Bdc=0.141+0.142=0.283T
这样设计也太搞笑了吧
DCM与CCM都没多大区别了
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liuzhaojuan
LV.2
21
2009-09-09 16:47
@pads2005pcb
按我的公式计算了一个CCM的变压器,你看看.2762991250493808.doc
谢谢指教,我会仔细看一下您的算法的:)
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axiu840928
LV.1
22
2009-09-17 16:11
可采用EE20/20A  绕线槽宽:12mm   槽深:3.3mm
原边绕组:0.1*45  14Ts
副边:15V:0.1*15  33Ts
     10V:0.1*15  22Ts
损耗为:铜损0.35W 铁损0.03W
气隙0.32mm
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longwh123
LV.2
23
2013-04-16 09:26
@liuzhaojuan
因为这是多路输出的

大侠,请问乘以一个功率比有理论依据吗?

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黄燚
LV.7
24
2013-06-21 13:43
@axiu840928
可采用EE20/20A  绕线槽宽:12mm  槽深:3.3mm原边绕组:0.1*45  14Ts副边:15V:0.1*15  33Ts    10V:0.1*15  22Ts损耗为:铜损0.35W铁损0.03W气隙0.32mm
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黄燚
LV.7
25
2013-06-21 14:25
@liuzhaojuan
高频变压器计算(CCM模式)反激式DC/DC变换电路电路基本参数:Vo1=15V  Io1=0.4AVo2=-10V  Io2=0.4AVs=15V(范围10V~20V)Po=10W设定参数:1.电路工作频率(根据UC3843的特性,初步确定为50KHz),电路效率为G=75%2.反激式变换器的工作模式CCM3.占空比确定(Dmax=0.4)4.磁芯选型(EE型)设计步骤(1)选择磁芯大小Pin=Po/G=10/0.75=13.3W(查表),选择EE19磁芯(2)计算导通时间Dmax=0.4,工作频率fs=50KHzton=8us(3)选择工作时的磁通密度根据所选择的磁芯EE19(PC40材料)Ae=22mm2,Bmax=0.22T(4)计算原边匝数Np=(Vs*ton)/(Bmax*Ae)=(10*8)/(0.22*22)=16.52,取整16(5)计算副边绕组以输出电压为15V为例进行计算,设整流二极管及绕组的压降为1V15+1=16V原边绕组每匝伏数=Vs/Np=10/16=0.625V/匝副边绕组匝数Ns1=16/0.625=25.6,取整26(6)计算选定匝数下的占空比;辅助输出绕组匝数新的每匝的反激电压为:16/26=0.615Vton=(Ts*0.615)/(0.625+0.615)=9.92us占空比D=9.92/20=0.496对于10V直流输出,考虑绕组及二极管压降1V后为11VNs2=11/0.615=17.88,取整17(7)初级电感,气隙的计算在周期Ts内的平均输入电流Is=Pin/Vs=13.3/10=1.33A导通时间内相应的平均值为Iave=(Is*Ts)/ton=1.33*20/9.92=2.68A开关管导通前的电流值Ip1=Iave/2=2.68/2=1.34A开关管关闭前的电流值Ip2=3Ip1=1.34*3=4.02A初级电感量Lp=Vs*&t/&i=10*9.92/2.68=37.01uH气隙长度Lg=(u0*Np^2*Ae)/Lp=0.19mm(8)检测磁芯磁通密度和饱和区间计算磁心饱和边界.计算交流磁通产生的磁感应强度变化幅值:△Bac=(Vs*ton)/(Ae*Np)=(10*9.92)/(16*22)=0.282T使用磁感应强度与直流电有关的关系式计算直流成分Bdc假设磁芯所有的磁阻都集中在气隙中,显然作为一个比较保守的结果,可求得一个较高的直流磁感应强度.此近似值允许使用一个简单的公式Bdc=u*H=u0*Np*Ip1/(Lg*0.001)=0.142T交流和直流磁感应强度之和得到磁感应强度最大值为Bmax=△Bac/2+Bdc=0.141+0.142=0.283T
(4)计算原边匝数
Np=(Vs*ton)/(Bmax*Ae)=(10*8)/(0.22*22)=16.52,取整16
中频率f不要嘛 Np=(Vs*ton)/(Bmax*Ae*f)  能解释下吗
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2018-03-13 16:05
@磁缘
"B=L*I/(N*Ae)=0.42T"你理解错了,此式中的B准确来说应该是Bdc,且式中的I应该是Ip1而不是Ip2

这个I 我觉得还是IP2,不是Ip1。峰值电流,最恶劣情况。

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