3.5K开关电源用什么主功率器件

单MOS管的电流比较小,关键是我的耐压比较高.

条条大道通罗马!只要电路设计得当!

请教降温高招.急啊

治标的还是治本的,你的原理图和写真呢?

这话说的,哈哈,当然治本了.发给你看看

如果是双管正激或全桥(Vin:220Vac)可使用40A/500V的MOS!

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/29/1115546915.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

兄弟,这个管子的开通管压降多少?我用的IGBT是1.9V的.另外开通损耗如何?

要控制电路原理图

Vds=1.4V,Rds(max)=0.11!Fairchild有售!

感谢,那我也要搞定变压器后再换管子.因为尖峰太高,500V的管子扛不住啊!!有没有哪里做变压器比较好的?

如果是双管正激或全桥(Vin:220Vac),500V的MOS一般是扛得住的!实在不行,改600V的MOS,但可能要并联!

用IGBT的驱动应该可以驱动MOS管吧?我觉得没有什么问题,不想改动太大.

兄弟对高频变压器有研究否?

还用EXB840就太浪费了!这种高频变压器很容易设计(用EE85较好),为了防止磁饱和,有必要留点气隙!

浪费没有关系,能驱动就行.我自己绕了一个推挽变压器.可能漏抗太大,尖峰很高.怎么绕都不好使.开始用EE107(自己测的),用铜皮绕,做的也不是特别理想,导线和铁心发热都比较严重,而且尖峰也不算太小.关键是在我这个功率等级下绕不下推挽的.后来改成非晶铁芯,自己绕了一个推挽变压器,尖峰有9倍输入电压.无法用,吸收也吸收不了这么大的电压.而且非晶的材料是个圆形铁芯,气隙无法留啊.