半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：
第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；
第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；
第三代半导体是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
目前已大量应用
物质的导电需要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称作导带，自用空穴存在的能带称作价带。被束缚的电子要想成为自由电子或空穴，必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
禁带宽度又称能隙（Energy Gap):导带的最低能级和价带的最高能级之间的能量。单位:eV(电子伏特)。宽禁带半导体是指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料，而当前主流的半导体材料硅的禁带宽度大约是1.12eV。
下图分别从电场强度、能隙(即带宽）、电子迁移率、热导率和熔点5个方面对比了最常见的Si, SiC, GaN这三种半导体材料的属性。
禁带宽度和电场强度越高，器件越不容易被击穿，耐压可以更高；热导率和熔点越高，器件越容易散热，也更容易耐高温；电子迁移率越高，器件的开关速度也就越快，因此可以做高频器件。不难看出，SiC和GaN器件在高温、高压、高频应用领域的显著优势。
