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PI推出新一代InnoSwitch,更高集成度更简化的设计

日前,PI宣布推出第五代InnoSwitch系列,名为InnoSwitch 5-Pro的高效率、可数字控制的反激式开关IC,采用创新的次级侧控制方式,无需额外使用高成本的专用高压开关即可实现零电压开关(ZVS),效率超过95%。

这款新IC内部集成750V或900V PowiGaN初级开关、初级侧控制器、FluxLink隔离反馈功能和具有I2C接口的次级控制器,可优化紧凑型、高效率单口或多口USB PD适配器的设计和制造。其应用领域包括笔记本电脑、高端手机和其他便携式消费电子产品,包括要求支持新的USB PD EPR(扩展功率范围)协议的设计。 

快充市场卷出新高度

阎金光用“风暴仍在继续”来形容目前的快充市场。近几年,得益于手机行业的持续发展,快充头的发货量持续增长,再加上笔记本和其他家电行业对于USB PD的导入,市场预计USB PD控制器发货量将从2022年的不到20亿只成长到2028年的46亿只以上,在这种高速增长下市场前景一片光明。

但是,快速发展的行业必然会带来更多苛刻的技术挑战,阎金光列出了主要的三大趋势,包括不断增大的输出功率,不断缩小的体积以及更低的系统成本。这三个挑战其实是互相矛盾的,但对最卷的IC行业而言,必须持续创新,以满足客户的最新要求。

另外,标准及协议的多样化,也给芯片带来了挑战,比如欧盟和北美采用的USB PD和PPS 3.1,中国特有的UFCS以及手机OEM们的私有协议,比如VOOC、VFC、SCP、UFCS等等。这就要求芯片及方案尽可能满足所有协议,以方便设计及供应链管理。

“三全其美”的InnoSwitch 5-Pro

InnoSwitch 5-Pro通过高集成度,高效率以及可编程性,同时满足了在灵活性、高功率密度以及低成本等方面的挑战。

阎金光表示,InnoSwitch 5-Pro转换效率可达95%,最主要原因是采用了氮化镓(GaN)的功率开关。值得注意的是,此次InnoSwitch 5-Pro可选750V和900V两种耐压规格的GaN,因此可以适应印度等电网不稳定的场景中。另外则是使用了零电压开关(ZVS)技术,以及变频的开关电路,实现了高转换效率并降低了温升,使设计人员能够省去热管理所需的散热片、导热片和灌封材料,从而进一步减小尺寸,降低元件成本和制造复杂性。

PI专利的变频开关技术,与传统PWM不同,可以实现更快的响应速度,提升动态性能,可以使用较小的输出电容,从而节省成本并降低电源尺寸。

InnoSwitch 5-Pro支持I2C可编程,因此适合不同国家或地区的标准,且适用于任何MCU,并且故障响应也可编程,以便及时做出快速反应。

第三,则是InnoSwitch 5-Pro具有高集成度,功率开关及其驱动器,初级测控制器及驱动器,同步整流驱动,FluxLink(磁感耦合)通讯以及全面的保护和遥测报告功能。

整体而言,InnoSwitch 5-Pro延续了PI经典的InnoSwitch Pro系列产品,包括FluxLink,次级侧控制,遥测报告,I2C编程等功能都有。

该系列可支持不同功率,从而适合多种场合应用,包括各类快充,插座,笔记本电脑等。

创新突破的ZVS技术

正如PI高级产品营销经理Adnaan Lokhandwala所说:“ZVS与GaN(氮化镓)相结合,能为电源注入神奇魔力。开关损耗几乎为零,并且我们可以利用GaN的低导通损耗来实现超紧密的适配器布局,其元件数量远少于非对称半桥(AHB)电路或有源钳位方案。”

其中非对称半桥类似于LLC谐振变换器,但是AHB要加PFC,因此考虑两级电路模式转换都会有损耗,因此整体效率也并不高。

而对于有源钳位,同样可以实现ZVS,在InnoSwitch 4-Pro设计中,可以结合ClampZero有源钳位 IC实现ZVS。

显然,这两种方法都会增加的元器件数量以及额外的功率开关。

但InnoSwitch 5-Pro创新的拓扑技术,可以通过 SR 控制实现零电压开关,阎金光解释了大致原理,其本质是利用次级侧的同步整流功率管来泄放能量。

如图所示,第一步是在下一次功率管开通前,次级侧的整流管SR FET先开启,能量从次级侧传输到变压器;第二步是关闭整流管,因为初级侧电感的续流,可以将功率管的DS之间的电荷泄放,从而使Vds为零;第三步则是正常开启功率管,从而实现了零电压开启的目的。

阎金光表示,该控制方式非常智能,无需传统ACF电路,可以实现最高的效率,降低成本同时还可以减少设计复杂度。实测表明,即便是与准谐振控制模式相比,也有1%左右的提升。

另外,该产品具有次级侧的无损电压感应,可以用于自适应的DCM/CCM/ZVS控制,这也是市场上唯一的产品。

支持丰富的协议

正如前面所说,InnoSwitch 5-Pro的可编程特性,可以支持多种协议。

如图所示,无论是USB PD还是UFCS,PI的产品均可支持。

阎金光特别强调了几点,首先是例如在UFCS中,电压的调整步长是10mV,这就需要电源管理IC的精准度足够高。另外,在USB PD 3.1扩展功率范围以及未来的UFCS上,电压要提高至15V-48V,因此InnoSwitch 5-Pro的电压输出范围达到3 V至30 V的宽压,上一代InnoSwitch 4-Pro产品的最高电压为24V。同时,阎金光也表示,之所以是28V输出,主要原因是目前市场上的大部分应用都是≤30V。

另外,由于其支持可编程,因此可以实现输出公差补偿,在产品下线后,即便有公差及温度系数等变化,同样可以通过再编程校准,实现优于2%的高精度输出恒流(CC)控制,以支持UFCS协议。

写在最后

作为快充及氮化镓市场的引领着,PI近年来始终专注于这一市场,不断致力于提升产品的功率和效率,及减少尺寸和成本。如今,市场上已经有了越来越多的对手,但PI也没有原地踏步,而是不断创新,用技术引领市场的发展。

以InnoSwitch 5-Pro为例,通过在集成、控制、拓扑等方面的创新,使客户可以更快开发出简单高效、更高功率、更低成本、更小尺寸的适配器。

“创新技术会让客户看到我们的价值。”阎金光总结道。

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denyuiwen
LV.6
2
03-26 12:01

器件采用InSOP™-28D专有封装,巧妙设计的爬电距离确保了高低压间具备足够的安全间距,有效预防了跳火现象的发生。这种封装方式不仅提升了电源的可靠性和稳定性,同时为整体性能提供了可靠的保障。

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htwdb
LV.5
3
03-26 15:46

目前快充主要采用氮化镓应用,随着技术发展氮化镓材料价格成本也将有很大幅度降低,不了解PI有没有研究下一代电源先进器件

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03-26 20:35

能使用的场景就非常多

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tanb006
LV.10
5
03-27 10:27

这个可以跟单片机通讯?有没有对通讯频率或协议有限制?

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04-10 09:13
@htwdb
目前快充主要采用氮化镓应用,随着技术发展氮化镓材料价格成本也将有很大幅度降低,不了解PI有没有研究下一代电源先进器件

能够有效缩小散热器尺寸,甚至完全省去散热器,仅靠PCB板进行散热。

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沈夜
LV.6
7
04-23 23:36

InnoSwitch 5-Pro是否能够应对未来快充市场的挑战?

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千影
LV.4
8
04-23 23:54

InnoSwitch 5-Pro能否应对未来电源快充市场的更高要求?

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XHH9062
LV.8
9
04-25 19:15

器件很全,选型也方便

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dy-mb2U9pBf
LV.7
10
04-25 20:43

InnoSwitch 5-Pro具有高集成度,高效率以及可编程性,同时具有灵活性、高功率密度以及低成本等优势,将在快充市场大展拳脚。

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04-26 00:21

应用的场景挺多的

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