PI这款反激电源在整个负载范围内效率高达94%，并且具有准谐振(QR)/CCM反激式控制器、高压开关、次级侧检测和同步整流驱动器等。
1）开关MOSFET的损耗通常可以分为导通损耗、开关损耗、驱动损耗等。前两种是MOSFET的主要损耗。在轻载和空载情况下原边电流的峰值和有效值都会明显降低，这时候的开关损耗是主导因素。而开关损耗与Vds电压、开关频率有着直接的关系。因此，减少MOSFET在轻载和空载时的损耗，可以通过使用QR模式的反激芯片和具有降频、间歌工作方式的芯片来实现。
2）使用具有HV启动功能的芯片，这样可以避免启动电阻产生的损耗。另外，要选择合适的X电容泄放电阻;
3）对反馈线路的优化。选择CTR高的光耦、低工作电流的基准电源以都可以一定程度的降低待机功耗。而这些都是在PI芯片内部集成并做了优化。
4）对吸收线路的优化。传统的RCD嵌位线路会造成比较大的损耗，目前看如果需要添加可按PI推荐值添加。
