变压器的分布电容是引起初级到次级的共模与差模干扰的根本原因 。
最有利于EMI的绕法是减少初次级之间的耦合电容,也就是说要加大初次级之间的距离,但这又会增大漏感,反而会增大电路损耗与EMI强度,所以需要综合考虑。
其次一般常见的方法是在初次级之间增加一个Y电容,将返回地线的共模电流直接短路到初级地线,减少通过地线返回的电流。
还有一种方法是在初次级绕组之间加入静电屏蔽层,将初次级之间的共模信号直接短路到初级地,有加铜箔(0.9T或1.1T)与加绕组(绕组的感应电压与被屏蔽绕组电压相反)两种方法。
对于辐射一般是在变压器最外层加入一个短路的屏蔽铜箔,将辐射的电磁能量以涡流的形式消耗掉,且涡流的磁场方向跟原变压器的干扰磁场相互抵消 。