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反激电源上电过程MOS过应力

下面是PI反激电源的原理图。

反激式转换器开始运作初期,输出尚未建立,电压为零。电流侦测电阻上之电压下降斜率趋近于零, 而控制 IC于每个周期皆至少有最小导通时间(TON_Min),致使电感电流持续增加, 即开关管上之尖峰电流持续增加,电流侦测电阻上之电压不断上升。当开关管关闭瞬间,累加的尖峰电流、变压器之漏电感和开关管之寄生电容产生高频振荡,于开关管之漏极D与源极S间感应出极大之电压尖峰Vpk, 将可能衍生出开关管之过应力问题。  

反激电源上电过程MOS过应力

加入软启动可以抑制上电尖峰电流。

为了有效抑制启动尖峰电流, 一般都会将软启动功能内嵌于控制 IC 中,它在控制 IC 开始运作时会先被启动,透过阶梯式的电流限制信号,逐步将输出电压慢慢建立起来。

当电流侦测电阻上之电压超过电流门坎电压时,控制IC会触发跳周期模式,延长电感电压反相重置磁通时间, 使磁能能够有效地转移至输出端,加速输出电压之建立过程,同时达到降低开关管上之电流幅度的效果。

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XHH9062
LV.8
2
03-19 17:22

可以增加RCD吸收电路

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tanb006
LV.10
3
03-21 22:57

软启动?怎么个方法?

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tanb006
LV.10
4
03-21 23:00

还有个方法,在开机的时候,mos的驱动电阻用100--200欧姆,让MOS工作在放大状态一段时间。

电源正常以后,驱动电阻切换为普通的20--100欧姆,充分发挥MOS的性能。

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03-22 07:21

怎么样有效过应力产生的毛刺

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03-22 07:39

过应力产生是否会导致系统传输效率发生突变

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03-22 07:45

MOS的过应力是否会破坏信号传输结构

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03-23 15:22

软启动能有效抑制上电瞬间的尖峰电流,从而减少mos管的瞬间应力,学习一下这个知识点。

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03-23 21:47

上电过程的过应力会导致系统传输效率的受损失么

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dy-TMelSvc9
LV.7
10
03-23 22:24

过应力的产生会导致信号电位的突变么

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htwdb
LV.5
11
03-24 12:09

通过反激式控制器 IC 的软启动功能,系统级——电源系统的反馈稳定性补偿,

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新月GG
LV.9
12
03-25 19:56
@tanb006
软启动?怎么个方法?

一般主控芯片都有软启动功能,根据芯片资料设计合理的软启动时间即可。

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沈夜
LV.6
13
03-26 00:18

如何有效抑制反激电源启动时的过应力问题?

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方笑尘MK
LV.6
14
03-26 09:53

当Mos管的过应力超过了器件所能承受的极限,器件很容易降低性能,甚至缩短寿命

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旻旻旻
LV.6
15
03-26 11:08

应该在电路中增加一个适当的电容。可以吸收尖峰,避免对mos的冲击

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AhChen
LV.1
16
03-26 12:07
@tanb006
还有个方法,在开机的时候,mos的驱动电阻用100--200欧姆,让MOS工作在放大状态一段时间。电源正常以后,驱动电阻切换为普通的20--100欧姆,充分发挥MOS的性能。

这个怎么实现转换?

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denyuiwen
LV.6
17
03-26 16:40

加个软启动,对MOS肯定有好处,但是MOS肯定能受住,增加软启动会增加成本的。

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