INN3670C 内部集成了一个750V GaN开关，开关控制使用准谐振技术以及输出端使用同步整流技术，使得电源的发热量大大减小，该芯片可以实现无散热器设计，依靠大面积PCB铜箔即可完成散热，节省了电源的空间尺寸和成本。得益于GaN器件良好的高频开关特性，在高频率下可以进一步的缩减磁器件的体积，进一步减小了电源的尺寸。
下图为电源的设计参考图，该设计可以实现85~265V全范围内的交流输入，同时输出20V/65W的功率，由于芯片内部集成了隔离反馈部分，因此，单芯片无需外部光耦即可完成高精度的隔离电源输出。
