如题：
串联LLC谐振，另外一个L在副边，这个结构不错的，基本不会有容性状态
谢谢回复，请问原边吸收电路发热厉害如何解决
这肯定发热啊，电阻R承受全部热量，RC在这里，电阻除了消耗能量，没 有任何意义。
除了发热，吸收不了任何东西。不应该放在这个位置。
吸收电容是用来保护IGBT的
那有没有什么办法减小发热呢？还有就是驱动这个全桥的PWM频率是固定的，好像不是串联LLC谐振
这个电容直接跨接在IGBT的CE端，不能用电阻，电容是吸收过冲电压保护IGBT的，加电阻后就没意义了，而且会发热。
有时候，在IGBT两端加吸收电容会引起IGBT发热，这说明有超前的电流成份，不过这个发热是控制计算失误引起的，就是设计时没有对电流超前的措施，只能靠IGBT硬扛，这时候，发热的现象实际上降低了IGBT炸机的风险。
这种情况解决，要从改善柘朴结构，改善控制策略入手，不过这是一个非常大的技术框架，不是那么容易解决的
这个好像不是LLC串联谐振，用的是NMOS不是IGBT，而且吸收电路也不是加在MOS的SD两端的
这个是全桥电路
RC是不是用的小了点，我们一般是R在100欧以上，C在1nF
这是一个硬开关全桥变换器，RC吸收电路R发热，排除变压器漏感过大的情况下，要考虑RC选值是否恰当，一般R用20--47欧姆，3-10W，C用102--222J，（1nf-2.2nf），耐压630V--1200V。C用的容量过大很容易引起R发热。
