在积体电路中加入ESD防护电路，该ESD防护电路要发挥防护效果，以避免积体电路内的元件被ESD所损伤。
当ESD电压出现在I/O脚位上时，制作于该I/O Pad旁的ESD防护电路必须要能够及早地导通来排放ESD放电电流。因此，ESD防护电路内所使用的元件必须要具有较低的崩溃电压(breakdown voltage) 或较快的导通速度。
在CMOS积体电路中，可用来做ESD防护的元件如下列所示：
(1)电阻 (Diffusion or poly resistor) ;
(2)二极体 (p-n junction) ;
(3)金氧半(MOS)元件 (NMOS or PMOS) ;
(4)厚氧化层元件 (Field-oxide device) ;
(5)寄生的双载子元件 (Bipolar junction transistor) ;
(6)寄生的硅控整流器元件 (SCR device, p-n-p-n structure) .
接下来我们先了解一下上述各种元件的特性，其中电阻具有阻挡电流的能力，因此经常与其他元件共同使用以
提昇该元件的ESD耐受能力。虽然积体电路的ESD规格上都是标示电压值，例如HBM ESD要2000V，但在实际测试上ESD放电现象是接近电流源(current source)的性质，因此，一ESD防护元件在ESD stress之下，如果具有较低的工作电压(operating voltage)，则在该ESD防护元件上所产生的电能(power) 就会较小，也就是因静电放电而产生的热量就会较小。这些热量就由该ESD防护元件来承受，当静电放电所产生的热量大于该ESD防护元件所能
承受的极限值，该ESD防护元件便会烧毁，如果要能承受更大的ESD放电电流，则必需增加该ESD防护元件的元件
尺寸及佈局面积以提昇其承受能力。
