SCALE-iDriver系列门极驱动器IC可同时为IGBT、MOSFET和SiC MOSEFT提供驱动，也是首款将Power Integrations首创的FluxLink磁感双向通信技术引入1200 V和1700 V驱动器应用的产品。
FluxLink技术可省去寿命相对较短的光电器件和相关补偿电路，从而增强系统运行的可靠性，同时降低系统的复杂度先进的系统安全和保护功能（常用于中压和高压应用）可增强产品可靠性创新的eSOP封装具有9.5 mm爬电距离，并且相对漏电起痕指数(CTI)为600，可确保实现更大的工作电压裕量和更高的系统可靠性碳化硅(SiC) MOSFET门极驱动器IC可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级，经过设定后可支持不同的门极驱动电压，来满足市售SiC MOSFET的需求AEC-Q100认证汽车应用SCALE-iDriver IC可在125°C结温下提供8A驱动，并且可在不使用推动级的情况下支持输出功率在数百千瓦以内的600V、650V、750V和1200V IGBT和SiC逆变器设计
SIC1181KQ和SIC1182KQ是适合SiC MOSFET的单通道门极驱动器。该器件利用Power Integrations革命性的固体绝缘FluxLink技术实现了加强绝缘。其峰值输出驱动电流可达±8A，可直接驱动600A/800A（典型值）以下的开关器件。
该器件还具有原方和副方欠压保护(UVLO)、带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多特性，可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。
此外，这款门极驱动器IC还具有AAC高级有源钳位（关断时）特性，可通过一个检测管脚同时提供短路保护（开通时和开通过程中）和过压限制。 对于具有电流检测端子的SIC MOSFET，可实现可调过流检测。
