MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。
1、电源IC直接驱动
电源IC直接驱动是最简单的驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。
①查看电源IC手册的最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。
②了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢，就达不到想要的效果。
2、推挽驱动
当电源IC驱动能力不足时，可用推挽驱动。
这种驱动电路好处是提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
3、加速关断驱动
MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。
为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如上图所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小，同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。
如上图，这是一个非常成熟并且在量产中实际使用很稳定的一个驱动电路，推荐使用。
用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。如果Q1的发射极没有电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，达到最短时间内把电荷放完，最大限度减小关断时的交叉损耗。
还有一个好处，就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC，提高了可靠性。
4、隔离驱动
为了满足高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动。
其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过交流，同时也能防止磁芯饱和。
5、自举驱动电路
如下图自举电路仅仅需要一个15~18V的电源来给逆变器的驱动级提供能量，所有半桥底部IGBT都与这个电源直接相连，半桥上部IGBT的驱动器通过电阻Rboot和二极管VF连接到电源Vb上，每个驱动器都有一个电容Cboot来缓冲电压：
当下管S2开通使Vs降低到电源电压Vcc以下时，Vcc通过自举二极管和自举电阻Rboot对自举电容Cboot进行充电，在自举电容两端产生Vbs悬浮电压，支持HO相对Vs的开关。随着上管S1开关，Vs高压时自举二极管处于反偏，Vbs和电源Vcc被隔离开。
驱动方式需要根据实际应用选择，比如开关速度、可靠性、效率、成本、驱动电流大小等，另外在布线时，驱动电路也应该注意寄生电感和寄生电容对驱动电路和功率半导体器件的影响。
PI的BridgeSwitch产品系列是把驱动电路和功率半导体器件集成到了控制芯片中的，最大化的减小了布线时的寄生电感和寄生电容，同时散热能力也会提升，电路的可靠性得到提高，可以去PI官网查看了解。
