请问升降压DC-DC的MOS管需要并二极管吗?

这个是MOS里面自带二极管

我知道，请看第2张图，这个电路就外加二极管，我想问的是，什么情况下加或不加呢？

当内部体二极管特性比如导通压降，反向恢复时间不满足需求时，就考虑外加吧

当然需要了，而且是必须要加的。

你在哪听说的

体二极管是普通二极管，某些时候需要快恢复特性，需要外接肖特基或快恢复二极管

第一张图：是MOS寄生的二极管，具体是肖特基还是快恢复，要看芯片的制程，按照是否设计了barrier和金属制程产生硅化两种方法，有肖特基和快恢复两种管子，但是现在一般芯片制造主要使用Ti金属，（现在一般的MOS生产过程中都是使用钛Ti），那么这个管子就是钛制程的肖特基二极管，但是这个二极管是寄生的所以没有Barrier，高温情况下耐压VB会下降，这也是Ti制程的缺点，所以钛制程的肖特基,SBD,MOS都有同一个缺点，就是Vbarrier（肖特基参数名称VR/MOS参数名称VDS）的耐压能力会下降； 

第二张图：是MOS旁边并联的肖特基，大家在看国外品牌半导体的规格书时，MOS一般都会外接一个二极管，一般都是用肖特基二极管并联，并联的原因是保护作用，这也是肖特基最大的市场，国内一般都省去了，因为主要起保护作用，所以省去出问题的概率可能只有万分之几，另一个作用是外接肖特基与MOS内部的二极管并联，还起到分流和分散散热的作用 ；利用肖特基并联MOS因为MOS的生产制程主要是外延片而没有做barrier，所以MOS的VDS耐压高温情况下会降低，但是肖特基一般是做了barrier这样高温下耐压更稳定可靠，所以肖特基并联就是为了保护MOS的耐压下降得太多而损坏，当然现在肖特基也有不少不再使用Barrier制程，所以加了也起不到保护作用了，只有高Barrier铂金制程的，而且要特定做高Barrier，这个肖特基的特征就是IR反向漏电比较低，特别是高温下的漏电比较低，一般60V的肖特基反向漏电在125℃下漏电<3mA，这个制造是很难的，需要高Barrier和生产上花费双倍的生产时间，才能达到在高温是也能保持VB不降低

所以为了稳定可靠，就在MOS旁并联肖特基，选择肖特基要关注

1.肖特基的制程（高Barrier还是低Barrier，实际使用下的温度，是否有风冷散热）；

2.应用电流下VF和IR，具体电流下的VF

如果你实在在乎成本，那5A以内MOS基本可以不用并联肖特基，5A以上看情况，不过国内设计东西大部分不知道具体原因，有些 设计看着感觉没用，就省去了，我看到华为在设计的时候都是有预留，但是生产时很多都省去了

MOTIVE 墨濎半导体，专业TMBS制造商 提供超大电流的肖特基二极管

TOLL封装，TO-247封装的超大电流肖特基

学习了，谢谢