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基于INN4177C-H189设计的电池充电器

本设计使用输出180 W、20 V/9 A,电路上采用了PFS5177F、InnoSwitch4 CZ INN4177C-H189和ClampZero CPZ1076M,从而满足了高功率密度和高效率。而且PI高度集成的 InnoSwitch4 CZ有源箝位反激控制器的让这个产品实现了非常好的性能。

电路图如下:输入是两级共模滤波器,保证了良好的EMI,然后是输入不控整流,将交流220V整流后接入PFS5177F做功率因数校正。HiperPFS-5系列集成了一种新型的750V准谐振DCM PFC控制器、PowiGaN、X电容放电和小封装的高压自启动电路。HiperPFS-5器件无需外部增加电流采样电阻,能减小损耗。它使用了一种创新的控制技术能够在输出过载、输入线电压过压和输入超周期时控制开关频率。因为PowiGAN的应用,具有很低的功率损耗和导通损耗,可以允许在没有散热器的情况下设计高达220W的功率。

InnoSwitch4 CZ IC是自启动的,使用内部高压电流源。当首次施加AC电压时,对初级旁路引脚电容器C15充电,正常期间初级侧部分由变压器T1上的偏置绕组供电。InnoSwitch4 CZ IC的次级侧提供输出电压和输出电流采样,同时驱动同步整流的SR FET。

实物照片如下:可以看到这个产品虽然功率到了180W,但是体积很小,元器件很紧凑,具有很好的设计。

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2022-10-21 14:27

上电只需要电容充电不需要加启动电阻吗?

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2022-10-21 21:01

需要增加隔离解决方案来处理电压降么

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2022-10-21 21:46

很不错的方案,有没有关于传输曲线的详细介绍

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XHH9062
LV.8
5
2022-10-21 22:26

效率如何?

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天晴朗
LV.6
6
2022-10-27 09:49

在没有散热器的情况下设计高达220W的功率,可见GaN在损耗方面卓越的性能

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2022-11-14 21:44

HiperPFS-5器件无需外部增加电流采样电阻,成本和误差减小

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天晴朗
LV.6
8
2022-11-14 21:46

GAN具有很低的功率损耗和导通损耗,散热成本大大降低

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tanb006
LV.10
9
2022-11-24 21:51

次级铺铜那么大,不会影响到EMC吗?

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hjk23
LV.2
10
2022-11-28 18:18

这种设计方案发热量高吗?是否需要外部散热装置?

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2022-12-25 17:19

不需外部增加电流采样电阻,能减小这个电阻损耗

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tabing_dt
LV.10
12
2023-01-12 21:14
@天晴朗
在没有散热器的情况下设计高达220W的功率,可见GaN在损耗方面卓越的性能

GaN性能很好,快速爬升时间、低导通电阻、低栅电容和输出电容,无不降低了开关损耗。

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2023-10-18 16:09
@天晴朗
在没有散热器的情况下设计高达220W的功率,可见GaN在损耗方面卓越的性能

高度集成,外形紧凑,采用外部电流检测电阻,输出电流精确可调。

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方笑尘MK
LV.6
14
2023-10-19 19:32

功率损耗和导通损耗比较低,能够达到200W,适合现在的高速快充

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