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上面两图分别是IGBT驱动的一张原理图和其中三极管的一张参数图.pdf是三极管的详细参数.
如图中所示,IGBT的发射极电压是由26V经C1,C2,R2,R3分压得到,大约为10V.这样,当芯片有脉冲输出时,芯片输出脉冲电压为26V-0.3V=25.7V,三极管输出电压为25.7V-0.7V=25V,栅-发射极之间电压为25V-10V=15V;芯片无脉冲输出时,芯片输出脉冲电压为0.3V,三极管输出电压为0V,栅-发射极之间电压为0V-10V=-10V.
现在问题有二:
一`芯片最大输出电流为0.4A,三极管ZDT6790的上管最大持续输出电流为2A(应该也就是上管的饱和电流).此时三极管应该是处于放大区(发射结正偏,集电结反偏).假如此时芯片输出脉冲电流为0.4A(也就是三极管的基极电流,下管此时截止),那么此时三极管的输出电流是多少?
二`C1,C2,R2,R3中的R2,R3是否可以去掉?个人理解,此时R2,R3是起主导的分压作用,C1,C2只是稳定R2,R3的电压而已,并不是一般所说的R2,R3是C1,C2的平衡电阻.
三`假如将R2,R3加大,是否就会形成一般的C1,C2的平衡电阻?那此时栅极的电压是否还是先前的26V*2/(2+3.3)=10V:还是26V*(C1+C2)=U*C2,U=26V/2=13V?
请各位不胜赐教,谢谢,顺祝中秋快乐!!! 147491221015487.pdf
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