上管选择MOSFET采用电容驱动方式，GDR1的驱动电压比VCV1高5V，GDR2的驱动电压比VCV2高5V。
电容驱动方式得益于使用电容CDR进行的轻松电平转换。当其中一个开关长时间处于导通状态时，需要一个正常刷新周期以使CDR充满电荷，否则CDR上的电荷会缓慢泄漏。启动期间也需要刷新，以使CDR在上拉输出时跟随输出电压。必要时，控制器将关断选择MOSFET，然后再导通，以执行刷新周期。
CDR的最佳电容值取决于选择MOSFET的栅极电荷。 栅极电荷（在5 V栅极电压下）必须比CDR电容中的电荷小得多。 CDR电容的典型值为100nF。 CDR电容值较大时，刷新时间可能不足，并且在启动期间电容将无法跟随输出。因此，必须为选择MOSFET选择低栅极电荷器件，以尽量减小所需的CDR电容值以及降低驱动MOSFET的能耗。
