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INN3279C设计的45W充电器

   InnoSwitch3-CP系列装置整合了多种保护功能，包括线电压过压和欠压保护、输出过压和过电流限制，以及过温关机.可满足多种应用的要求，如快速充电和 USB PD 设计。该系列分为具有和不具有缆线压降补偿两款。该充电器主控芯片采用INN3279C，INN3279C内置750V PowiGaN技术，适配器密闭环境中宽电压输入可输出65W，这里降额使用是为了降低发热。电源输入电压90~265VAC，输出电压5V/3A或者9V/3A或者15V/3A或者20V/3A的充电器，空载损耗小于40mW，充电端口采用TYPE-C接口。

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lx25hb
LV.8
2
2021-10-09 09:57

为了提高效率，电路中还必须选择具有较低传导损耗的有源器件。

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cb_mmb
LV.8
3
2021-10-09 10:04

IC内部集成准谐振反激控制器和集成的主开关管，同步整流控制器和内置反馈，以及恒功率输出。

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uf_1269
LV.8
4
2021-10-09 10:07
@cb_mmb
IC内部集成准谐振反激控制器和集成的主开关管，同步整流控制器和内置反馈，以及恒功率输出。

GaN的切换开关取代了传统硅高压电晶体，减少了电流流过时的导通损耗。

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dbg_ux
LV.9
5
2021-10-09 10:12
@lx25hb
为了提高效率，电路中还必须选择具有较低传导损耗的有源器件。

对于充电器来说，充电器的待机功耗比较重要，40mW可以说比较低了。

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kckcll
LV.9
6
2021-10-09 10:58
@dbg_ux
对于充电器来说，充电器的待机功耗比较重要，40mW可以说比较低了。

电源在自供电模式中启动，会从旁路引脚电容通过内部电流源充电吸收能量。

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beakline
LV.6
7
2021-10-11 15:59
@uf_1269
GaN的切换开关取代了传统硅高压电晶体，减少了电流流过时的导通损耗。

同时并大大降低了运作期间的切换损失，减少电源能源的浪费。

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大海的儿子
LV.10
8
2021-10-11 16:12

较高的Vor允许在最低电压时获得更高的输出功率，这会降低输入电容值并增大给定PowiGaN器件的输出功率能力。

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trllgh
LV.9
9
2021-10-11 16:29
@beakline
同时并大大降低了运作期间的切换损失，减少电源能源的浪费。

使用 InSOP-24D封装，可以设计出更薄，相同体积下输出更大功率的电源。

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dianre888
LV.6
10
2021-10-11 16:44
@trllgh
使用InSOP-24D封装，可以设计出更薄，相同体积下输出更大功率的电源。

GaN 是一项关键技术，与硅相比具有显著的效率和尺寸优势。

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xxbw6868
LV.9
11
2021-10-11 16:51
@大海的儿子
较高的Vor允许在最低电压时获得更高的输出功率，这会降低输入电容值并增大给定PowiGaN器件的输出功率能力。

设计中输出电压高于15 V时，应提高VOR，使输出同步整流管的反向峰值电压维持在可接受的水平。

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spowergg
LV.9
12
2021-10-11 16:56
@kckcll
电源在自供电模式中启动，会从旁路引脚电容通过内部电流源充电吸收能量。

变压器上的辅助绕组也可以向初级旁路引脚提供供电电流。

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大海的儿子
LV.10
13
2021-10-16 10:12
@dianre888
GaN是一项关键技术，与硅相比具有显著的效率和尺寸优势。

INN3270C采用PowiGaN技术，最大输出功率100W,基本可以满足大多的充电器功率要求。

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cb_mmb
LV.8
14
2021-10-16 10:49
@spowergg
变压器上的辅助绕组也可以向初级旁路引脚提供供电电流。

使用偏置绕组向初级旁路引脚供电后，可实现空载功耗低于15 mW的电源。

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gxg1122
LV.10
15
2021-10-25 16:42
@beakline
同时并大大降低了运作期间的切换损失，减少电源能源的浪费。

在恒流操作期间，当输出电压下降时，芯片内的次级侧控制器将直接从次级侧绕组进行供电。

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electronicLee
LV.4
16
2021-10-27 10:18

集成度高效率也需要提高，可以减小发热量，相信这款适配器的效率应该能达到92%左右了。

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gxg1122
LV.10
17
2021-10-28 13:41
@uf_1269
GaN的切换开关取代了传统硅高压电晶体，减少了电流流过时的导通损耗。

GaN"切换开关减少了电流流过时的导通损耗，并大大降低了运作期间的切换损失。

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gxg1122
LV.10
18
2021-10-28 13:42
@gxg1122
GaN"切换开关减少了电流流过时的导通损耗，并大大降低了运作期间的切换损失。

同时该技术可以提高节省空间的 InSOP-24D 封装的效率和功率输送。

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不可说
LV.5
19
2021-10-29 22:06

这个电源方案的综合性能挺好的，各方面都有兼顾，值得借鉴与学习

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米修儿
LV.4
20
2021-11-25 14:06

InnoSwitch3-CP系列自行研发的氮化镓（GaN）技术。基于PowiGaN的IC在整个负载范围内的效率高达95％，在封闭式适配器不需散热片就可实现高达100W输出功率。

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米修儿
LV.4
21
2021-11-25 14:08

InnoSwitch3-CP采用变频准谐振控制器并支持CCM/CrM/DCM工作，可提高效率和扩大输出功率能力。

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lihui710884923
LV.9
22
2021-11-26 19:49

45W的充电器最大转换效率多大？

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天晴朗
LV.6
23
2021-11-26 22:30

这款具有多种保护，线电压过压和欠压保护、输出过压和过电流限制，以及过温关机.可满足多种应用的要求

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tmpeger
LV.10
24
2022-10-10 22:31
@trllgh
使用InSOP-24D封装，可以设计出更薄，相同体积下输出更大功率的电源。

提高开关频率，减小磁性元件的体积和重量是提高变换器功率密度的有效措施

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tmpeger
LV.10
25
2022-11-07 23:03
@大海的儿子
较高的Vor允许在最低电压时获得更高的输出功率，这会降低输入电容值并增大给定PowiGaN器件的输出功率能力。

原边控制的基本原理是通过精确采样辅助绕组的电压水平来反映负载的变化信息

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tmpeger
LV.10
26
2022-11-07 23:06
@beakline
同时并大大降低了运作期间的切换损失，减少电源能源的浪费。

如果直接靠高压启动提供PWM芯片供电损耗大,效率低,所以要加偏置绕组 

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opingss88
LV.10
27
2022-11-15 22:21
@大海的儿子
较高的Vor允许在最低电压时获得更高的输出功率，这会降低输入电容值并增大给定PowiGaN器件的输出功率能力。

在接近交流峰值电压处仅在很短的时间内才有输入电流流经桥式整流电路

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tmpeger
LV.10
28
2022-11-19 22:54
@uf_1269
GaN的切换开关取代了传统硅高压电晶体，减少了电流流过时的导通损耗。

理论上正激可以不用开气息，可是实际应用上时很难做到一点气息都没有的

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spowergg
LV.9
29
2023-08-24 22:07
@tmpeger
理论上正激可以不用开气息，可是实际应用上时很难做到一点气息都没有的

适当的开气息是考虑在负载不能完全释能的时候，可以帮助消除残余磁能。

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ehi763
LV.6
30
2023-08-24 22:22
@spowergg
适当的开气息是考虑在负载不能完全释能的时候，可以帮助消除残余磁能。

加气隙可降低剩磁，增大磁振幅，利于减小匝数，降低铜损，但加了气隙，励磁电流会加大，开关管处理的能量，通过消磁电路返回电源的能量比例较大，对提升效率不利

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dy-XU5vrphW
LV.6
31
2023-08-24 23:33

信号传输对端口有什么特殊要求

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