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mos管栅极上串个小电阻是什么作用?

我看见很多电路在驱动mos管的时候,在栅极上都要串上一个很小的电阻几欧姆到十几欧姆不等.我也查看了很多资料,有的说是限制电流、保证开关速度,有的说是驱动互补mos管时防止直通的,众说纷纭,公说公有理,婆说婆也有理.我头都大了,请教那位真正明白的高手告诉小弟一下,在此谢过了!
顺便问一下,那种电阻的型号为什么要在告诉阻值后还要告诉功率值?(请详细说明一下,谢谢!)
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delory
LV.2
2
2008-08-13 14:39
怎么没有人顶啊?小弟等着你的回复呢
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william_wu
LV.5
3
2008-08-13 15:34
@delory
怎么没有人顶啊?小弟等着你的回复呢
详细说明的资料很多可上网找
简单的说
MOSFET的闸极有杂散电容有引线电感走线电感输入阻抗又高Q值大容易谐振
因此加个电阻或磁珠降低Q值让它不容易振荡
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gugu_1982
LV.3
4
2008-08-13 15:35
@delory
怎么没有人顶啊?小弟等着你的回复呢
电阻有额定功率,当超过其额定功率时,电阻就烧了.
这里之所以要求额定功率值是因为给MOS管栅极电容充电时,充电电流可能会很大,如果电阻额定功率不够,可能被烧掉.
知道的就这些,不知对不对,仅供参考
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delory
LV.2
5
2008-08-13 16:26
@william_wu
详细说明的资料很多可上网找简单的说MOSFET的闸极有杂散电容有引线电感走线电感输入阻抗又高Q值大容易谐振因此加个电阻或磁珠降低Q值让它不容易振荡
谢谢你的回复!
关于这个问题我也寻找了很多资料,但是都没有详细说明!
你手上有相关资料吗?如果可以,上传一份行吗?
再次感谢!
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delory
LV.2
6
2008-08-13 16:27
@gugu_1982
电阻有额定功率,当超过其额定功率时,电阻就烧了.这里之所以要求额定功率值是因为给MOS管栅极电容充电时,充电电流可能会很大,如果电阻额定功率不够,可能被烧掉.知道的就这些,不知对不对,仅供参考
那电阻的功率值是根据什么条件来确定的?是根据栅极允许通过最大电流来确定的吗?或者其他条件?
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gugu_1982
LV.3
7
2008-08-14 11:05
@delory
那电阻的功率值是根据什么条件来确定的?是根据栅极允许通过最大电流来确定的吗?或者其他条件?
MOS管的参数里好像没有“栅极允许通过最大电流”项吧,我想应该与栅极电容大小有关吧,具体根据什么来定我也很想知道,期待高手来指点!关注中
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delory
LV.2
8
2008-08-14 12:09
@gugu_1982
MOS管的参数里好像没有“栅极允许通过最大电流”项吧,我想应该与栅极电容大小有关吧,具体根据什么来定我也很想知道,期待高手来指点!关注中
是啊!期待高手来解惑!
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wwqwwq
LV.4
9
2008-08-16 08:20
@delory
是啊!期待高手来解惑!
我们经常称为“驱动电阻”
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william_wu
LV.5
10
2008-08-21 14:31
@delory
谢谢你的回复!关于这个问题我也寻找了很多资料,但是都没有详细说明!你手上有相关资料吗?如果可以,上传一份行吗?再次感谢!
要详细资料有两处可找
  1.书店
  2.MOSFET 制造商的应用资料库

要选择一个适当的阻值是要综合需求来决定的
提供一些资料参考

327911219299509.pdf 327911219299582.pdf 327911219299740.pdf 327911219299937.pdf 327911219300178.pdf 327911219300273.pdf
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delory
LV.2
11
2008-08-21 14:50
@william_wu
要详细资料有两处可找  1.书店  2.MOSFET制造商的应用资料库要选择一个适当的阻值是要综合需求来决定的提供一些资料参考327911219299509.pdf327911219299582.pdf327911219299740.pdf327911219299937.pdf327911219300178.pdf327911219300273.pdf
非常感谢,很好的资料!
我收下了!
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evdi
LV.6
12
2008-08-22 19:01
@wwqwwq
我们经常称为“驱动电阻”
与EMI有关,减缓驱动波形上升速度,假设驱动方波上升时间为t,则方波频域上高频时转折频率为1/(pai*t),t越小则高频成分越高.加上一个小电阻,可以减小Cgs的充电速度,减小驱动波形的上升速度.减小dv/dt
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路景阳
LV.1
13
2008-12-18 10:32
为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡,减小集电极的电压尖峰,应在栅极串上合适的电阻 Rg .当 Rg 增大时,导通时间延长,损耗发热加剧; Rg 减小时, di/dt 增高,可能产生误导通,使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值.通常在几欧至几十欧之间 ( 在具体应用中,还应根据实际情况予以适当调整 ) .另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏器件,建议在栅射间加入一电阻 Rge ,阻值为 10 k Ω左右.
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tywp
LV.1
14
2012-10-13 10:25
@william_wu
要详细资料有两处可找  1.书店  2.MOSFET制造商的应用资料库要选择一个适当的阻值是要综合需求来决定的提供一些资料参考327911219299509.pdf327911219299582.pdf327911219299740.pdf327911219299937.pdf327911219300178.pdf327911219300273.pdf

真是非常棒的资料哦，呵呵，谢谢

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ph0213
LV.1
15
2013-04-29 14:13
@william_wu
要详细资料有两处可找  1.书店  2.MOSFET制造商的应用资料库要选择一个适当的阻值是要综合需求来决定的提供一些资料参考327911219299509.pdf327911219299582.pdf327911219299740.pdf327911219299937.pdf327911219300178.pdf327911219300273.pdf
谢谢你的资料啊，不错不错~~
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Hi_Elect
LV.1
16
2014-09-10 16:12
@evdi
与EMI有关,减缓驱动波形上升速度,假设驱动方波上升时间为t,则方波频域上高频时转折频率为1/(pai*t),t越小则高频成分越高.加上一个小电阻,可以减小Cgs的充电速度,减小驱动波形的上升速度.减小dv/dt
同意您的观点，原理上还是没想明白。
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zl2075
LV.1
17
2016-01-10 16:50
@william_wu
要详细资料有两处可找  1.书店  2.MOSFET制造商的应用资料库要选择一个适当的阻值是要综合需求来决定的提供一些资料参考327911219299509.pdf327911219299582.pdf327911219299740.pdf327911219299937.pdf327911219300178.pdf327911219300273.pdf
很好的资料，谢谢了！
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一尾星痕
LV.1
18
2017-07-13 10:02
@william_wu
要详细资料有两处可找  1.书店  2.MOSFET制造商的应用资料库要选择一个适当的阻值是要综合需求来决定的提供一些资料参考327911219299509.pdf327911219299582.pdf327911219299740.pdf327911219299937.pdf327911219300178.pdf327911219300273.pdf
谢谢你的资料
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一尾星痕
LV.1
19
2017-07-13 10:07
@路景阳
为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡,减小集电极的电压尖峰,应在栅极串上合适的电阻Rg.当Rg增大时,导通时间延长,损耗发热加剧;Rg减小时,di/dt增高,可能产生误导通,使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取Rg的数值.通常在几欧至几十欧之间(在具体应用中,还应根据实际情况予以适当调整).另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏器件,建议在栅射间加入一电阻Rge,阻值为10kΩ左右.

受教了

 

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