现在我做了一款3000W的变压器,输入电压为42~58V,输出电压为400V,输入电流为51A.主电路使用的拓扑是移相全桥电路.变压器的线包温度高达125度左右.变压器使用的磁性是EE55,开关频率95K左右.
现在的问题是:
(1)当原副边匝数比为3:30时,绕制方式采用:副边(10T)->原边(1T)->副边(20T)->原边(2T)的绕制方式,原边采用铜带(30*0.3mm),副边采用直径0.4mm的铜线14根并绕.
按这种方式工作10分钟左右,变压器线包温度很快达到130度左右.我曾经将原边采用两层20*0.2mm铜带并绕(也采用过3层并绕),问题没有任何改善.我也采用过原边(3T)->副边(30T)这种绕制方式,问题没有任何改善.
(2)当原副边匝数比为2:20时,绕制方式采用:副边(10T)->原边(1T)->副边(10T)->原边(1T)的绕制方式,原边采用铜带(30*0.3mm),副边采用直径0.4mm的铜线14根并绕.
按这种方式工作一个小时左右,变压器线包温度很快达到125度左右.我曾经将原边采用两层20*0.2mm铜带并绕,温度反而上升更快.
请教各位高手,这到底是怎么回事?现在电流密度已经很低了,为什么这样热,集肤效应与邻近效应我都考虑了,为什么问题没有得到实质性的解决?
急急...变压器线包为什么这么热?
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@pangjihao
线可能太小了,用27mm^2以上的试试看,因电流较大,发热量大.
我曾经使用过用3层30*0.2的铜带并绕,其原边的电流密度已经小于2A/mm2,但是问题温度上升得比1层30*0.3铜带更快,大约10分钟左右,温度就上升到130度(我的测试点是的最里层原边线圈的温度).
请问一下,因为我是使用的铜带绕制,同时原边和副边都是分成两部分绕制,这样的绕制方式其分布电容很大(具体多少,现在我还没有仪器能够测试,只是估计比较大而已).
但是变压器的分布电容对变压器的发热有影响吗?个人认为没有什么影响,分布电容我知道对EMI及原副边的干扰有影响.请各位帮帮忙!
请问一下,因为我是使用的铜带绕制,同时原边和副边都是分成两部分绕制,这样的绕制方式其分布电容很大(具体多少,现在我还没有仪器能够测试,只是估计比较大而已).
但是变压器的分布电容对变压器的发热有影响吗?个人认为没有什么影响,分布电容我知道对EMI及原副边的干扰有影响.请各位帮帮忙!
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@yuanwen
我曾经使用过用3层30*0.2的铜带并绕,其原边的电流密度已经小于2A/mm2,但是问题温度上升得比1层30*0.3铜带更快,大约10分钟左右,温度就上升到130度(我的测试点是的最里层原边线圈的温度). 请问一下,因为我是使用的铜带绕制,同时原边和副边都是分成两部分绕制,这样的绕制方式其分布电容很大(具体多少,现在我还没有仪器能够测试,只是估计比较大而已). 但是变压器的分布电容对变压器的发热有影响吗?个人认为没有什么影响,分布电容我知道对EMI及原副边的干扰有影响.请各位帮帮忙!
建议用一层铜皮绕,加厚和加宽.因为你的电流大,且多层绕时长度和松紧度很难做到一致.
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@yuanwen
我曾经使用过用3层30*0.2的铜带并绕,其原边的电流密度已经小于2A/mm2,但是问题温度上升得比1层30*0.3铜带更快,大约10分钟左右,温度就上升到130度(我的测试点是的最里层原边线圈的温度). 请问一下,因为我是使用的铜带绕制,同时原边和副边都是分成两部分绕制,这样的绕制方式其分布电容很大(具体多少,现在我还没有仪器能够测试,只是估计比较大而已). 但是变压器的分布电容对变压器的发热有影响吗?个人认为没有什么影响,分布电容我知道对EMI及原副边的干扰有影响.请各位帮帮忙!
對于分布電容的測試及大小的評估您可以去<<變壓器/磁技術>>版塊,我有一個這樣的主題帖.
還有,我看完你上面的繞線,有點感想,你為啥要原邊,副邊,原邊,副邊的繞呢.
我們也做過3000W,電路結構和你的一樣,我們用的磁心是;ETD44的.效率蠻高,我的匝比是:30:3,繞線方式是:三明治繞法..
沒有你上面所說的問題喔..
還有,我看完你上面的繞線,有點感想,你為啥要原邊,副邊,原邊,副邊的繞呢.
我們也做過3000W,電路結構和你的一樣,我們用的磁心是;ETD44的.效率蠻高,我的匝比是:30:3,繞線方式是:三明治繞法..
沒有你上面所說的問題喔..
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@transformer1
對于分布電容的測試及大小的評估您可以去版塊,我有一個這樣的主題帖. 還有,我看完你上面的繞線,有點感想,你為啥要原邊,副邊,原邊,副邊的繞呢.我們也做過3000W,電路結構和你的一樣,我們用的磁心是;ETD44的.效率蠻高,我的匝比是:30:3,繞線方式是:三明治繞法.. 沒有你上面所說的問題喔..
我的原,副變電流也很大喔.
你的那種繞制方式,很不利于降低Copper loss,反而會增加很多..
你想,你原邊電流那么大,隨便增加一點點DCR的話,那損耗都相當嚇人,副邊也一樣喔..
所以的建議:是不是在調整一下其繞制的方式..
你的那種繞制方式,很不利于降低Copper loss,反而會增加很多..
你想,你原邊電流那么大,隨便增加一點點DCR的話,那損耗都相當嚇人,副邊也一樣喔..
所以的建議:是不是在調整一下其繞制的方式..
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@transformer1
對于分布電容的測試及大小的評估您可以去版塊,我有一個這樣的主題帖. 還有,我看完你上面的繞線,有點感想,你為啥要原邊,副邊,原邊,副邊的繞呢.我們也做過3000W,電路結構和你的一樣,我們用的磁心是;ETD44的.效率蠻高,我的匝比是:30:3,繞線方式是:三明治繞法.. 沒有你上面所說的問題喔..
采用原边-副边-原边-副边的绕制方式有两个好处:
1:可以减少变压器的漏感,原因是这样的绕制方式其最大的磁场强度H只有原边-副边这种绕制方式的一半,其漏感将减少4倍.
2.这样绕制可以减少线圈的交流阻抗,原理上可以减少线圈的发热.但事实效果不明显.
同时,您您做的3000W的变压器与我做的3000W的变压器是不一样的,您的是降压变压器,原边匝数很多(30T),其励磁电感大,其励磁电流小.我的是升压变压器,原边匝数少(2T或3T),这样励磁电感小,其励磁电流大.励磁电流的大小直接关系到变压器能量传输效率.
不知道我的理解对不对?请指教!
1:可以减少变压器的漏感,原因是这样的绕制方式其最大的磁场强度H只有原边-副边这种绕制方式的一半,其漏感将减少4倍.
2.这样绕制可以减少线圈的交流阻抗,原理上可以减少线圈的发热.但事实效果不明显.
同时,您您做的3000W的变压器与我做的3000W的变压器是不一样的,您的是降压变压器,原边匝数很多(30T),其励磁电感大,其励磁电流小.我的是升压变压器,原边匝数少(2T或3T),这样励磁电感小,其励磁电流大.励磁电流的大小直接关系到变压器能量传输效率.
不知道我的理解对不对?请指教!
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@yuanwen
采用原边-副边-原边-副边的绕制方式有两个好处:1:可以减少变压器的漏感,原因是这样的绕制方式其最大的磁场强度H只有原边-副边这种绕制方式的一半,其漏感将减少4倍.2.这样绕制可以减少线圈的交流阻抗,原理上可以减少线圈的发热.但事实效果不明显.同时,您您做的3000W的变压器与我做的3000W的变压器是不一样的,您的是降压变压器,原边匝数很多(30T),其励磁电感大,其励磁电流小.我的是升压变压器,原边匝数少(2T或3T),这样励磁电感小,其励磁电流大.励磁电流的大小直接关系到变压器能量传输效率.不知道我的理解对不对?请指教!
你后面的我贊同.
對于你的兩個好處有點看法:
1) 減少變壓器的Lk,不錯,你這樣交叉的方式是會減少Lk,但你想啊,
你的另一個副邊就跑到最外邊去了,夾了一個原邊,這之間肯定會增加一個距離,有距離DCR就會增加吧,在通過51A電流就很大咯.
2) 對于第二電話,減少交流阻抗,不錯,在某個點上是會減少,但你是在犧牲直流阻抗.
拙見,不知是否正確.
對于你的兩個好處有點看法:
1) 減少變壓器的Lk,不錯,你這樣交叉的方式是會減少Lk,但你想啊,
你的另一個副邊就跑到最外邊去了,夾了一個原邊,這之間肯定會增加一個距離,有距離DCR就會增加吧,在通過51A電流就很大咯.
2) 對于第二電話,減少交流阻抗,不錯,在某個點上是會減少,但你是在犧牲直流阻抗.
拙見,不知是否正確.
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@transformer1
你后面的我贊同. 對于你的兩個好處有點看法:1)減少變壓器的Lk,不錯,你這樣交叉的方式是會減少Lk,但你想啊,你的另一個副邊就跑到最外邊去了,夾了一個原邊,這之間肯定會增加一個距離,有距離DCR就會增加吧,在通過51A電流就很大咯.2)對于第二電話,減少交流阻抗,不錯,在某個點上是會減少,但你是在犧牲直流阻抗. 拙見,不知是否正確.
(1)51A是指变压器原边的电流,原边的输入电压只有42~58V(VDC),副边的输出电压是400V,因此副边的电流应该很低大约也就7A(有效值)左右.DCR到底有多大呢?
(2)为什么会增加直流阻抗呢,因为副边的匝数一样多,中间就只隔一层原边,其增加的长度应该很少,增加的直流阻抗不会很大吧?而且,副边的电流本来就不大,影响应该不是很大吧.您说呢?
(2)为什么会增加直流阻抗呢,因为副边的匝数一样多,中间就只隔一层原边,其增加的长度应该很少,增加的直流阻抗不会很大吧?而且,副边的电流本来就不大,影响应该不是很大吧.您说呢?
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