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【应征入伍】内设智能无级过温保护恒流驱动芯片NU502-160MA电流可调的典型应用

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

单通道型式可串接使用,

提高耐压范围.

一、电源电压小于 15V

1. 一般的使用场合建议电源电压小于 15V。

2. 在 NU502 的 VDD端并联 0.1uF 以保护 NU502,并使得工作更稳定。

3. 最小电源电压:V LED≧N×VF+0.6V。VLED:直流电源输入,N /LED 颗数,VF /LED 正向偏压。

4. 最大电源电压:  (VLED-N×(VF-VFT))×I≦PD。VFT: 因温度上升而下降的 LED 正向偏压,I:NU502 定电流值,SOT 236 PD=0.25W

举例说明:

假设当使用在 VLED=15V,I=0.12A,SOT 236,VF=3.2V,VF大约会因温度升高而降低 0.1V 时

1. NU502 Rext 计算

Rext=0.16/I - 0.14=0.16/0.12A - 0.14=1.193 ohm

2. LED 颗数计算VLED≧N×VF+0.6V

15V≧N×3.2V+0.6V

N=4

当电源输入为稳定的 15V 时,VF=3.2V,如果接上 4 颗 LED,IC 可以定电流工作

3. 最大电源电压

(VLED-N×(VF-VFT))×I≦PD

(VLED-4×(3.2V-0.1V))×0.12A≦0.25W

VLED≦14.48V

因此建议最大电源输入电压不可超过 14.48V。

4. NU502 消耗功率计算

PD=(VLED-4×(3.2V-0.1V))×0.12A=(14V-4×(3.2V-0.1V))×0.12A=0.19W

二、电源电压大于 15V

1. 一般的使用场合建议电源电压大于 15V。

2. 在 NU502 的 VDD端并联 0.1uF 以保护 NU502,并使得工作更稳定。

3. 最小电源电压: 

VLED≧N×VF+0.6V。

VLED:直流电源输入,

N: LED 颗数,

VF: LED 正向偏压。

4. 最大电源电压: 

(VLED-N×(VF-VFT))×I≦PD。

VFT:因温度上升而下降的 LED 正向偏压,I:NU502 定电流值,SOT 236 PD=0.25W

深圳市诚信联科技有限公司

何R  13549161062  QQ:854236200

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2020-06-23 11:45

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

单通道型式可串接使用,

提高耐压范围.

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2020-06-28 09:58

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

单通道型式可串接使用,

提高耐压范围.

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2020-07-02 09:44

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

单通道型式可串接使用,

提高耐压范围.

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2020-07-07 15:16

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

单通道型式可串接使用,

提高耐压范围.

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2020-07-08 11:23

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

单通道型式可串接使用,

提高耐压范围.

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2020-07-10 10:03

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

单通道型式可串接使用,

提高耐压范围.

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2020-07-14 09:16

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

单通道型式可串接使用,

提高耐压范围.

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2020-07-15 10:12

一、电源电压小于 15V

1. 一般的使用场合建议电源电压小于 15V。

2. 在 NU502 的 VDD端并联 0.1uF 以保护 NU502,并使得工作更稳定。

3. 最小电源电压:V LED≧N×VF+0.6V。VLED:直流电源输入,N /LED 颗数,VF /LED 正向偏压。

4. 最大电源电压:  (VLED-N×(VF-VFT))×I≦PD。VFT: 因温度上升而下降的 LED 正向偏压,I:NU502 定电流值,SOT 236 PD=0.25W

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2020-07-17 16:09

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

单通道型式可串接使用,

提高耐压范围.

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2020-07-21 10:37

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

单通道型式可串接使用,

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2020-07-22 09:50

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

单通道型式可串接使用,

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2020-07-28 14:46

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

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2020-08-05 09:25

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

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快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

单通道型式可串接使用,

提高耐压范围.

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2020-08-07 14:30

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

单通道型式可串接使用,

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2020-08-10 14:53

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

单通道型式可串接使用,

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2020-08-12 10:27

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

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2020-08-14 14:59

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

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电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

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2020-08-17 16:21

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电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

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2020-08-18 15:39

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

单通道型式可串接使用,

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2020-08-20 09:25

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

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2020-08-24 10:00

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

单通道型式可串接使用,

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2020-08-26 10:09

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

工作环境温度-40°C~85°C

单通道型式可串接使用,

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2020-08-28 17:40

VDD电源电压范围1.6V~18V,宽广电源设计,自我供电架构,不需另外提供电源输出

电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

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2020-08-31 15:47

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快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

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2020-09-01 14:39

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快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

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2020-09-08 09:39

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电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

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2020-09-09 10:10

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电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

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内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片温度保护,电流随温度升高而下降

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2020-09-14 09:54

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电流由外部电阻设定低输出端电压降0.6V(80mA)

快速的电位爬升时间/电位下降时间

内建15V纳纳二极体保护低输出

电流差异少于±5%电源及负载调变率少于±0.5%/ V.

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2020-09-14 10:03

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2020-09-14 17:28

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