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GaN三电平逆变器驱动电路的设计

我想做一个GaN的三电平逆变器,对于驱动电路的设计,有些问题。三电平电路不想两电平互补导通,存在钳位环节,半桥驱动电路就不可以了,就需要多个高边驱动电路,高边驱动芯片电路如何设计呢?我查到Si8275可以两路都高边驱动,根据它给出的电路感觉不是自举升压电路。是不是应该在VDDA和C3之间串一个二极管?如果不是应该怎么设计呢,希望得到大佬的指点。

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2021-02-03 09:23
氮化镓的驱动与MOS和IGBT完全不同,因为穷,没玩过....
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2021-02-03 11:01
@dy-iBysWiwR
氮化镓的驱动与MOS和IGBT完全不同,因为穷,没玩过....
发展太快了,IGBT刚刚弄懂,碳化硅和氮化镓就出来了
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余云浅
LV.1
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2021-02-25 17:54
我要是没有记错的话,这个芯片不是自举的,VCCA和VCCB需要单独供电
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