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开关电源工程师需要研究的几个电路(1) ESBT 新增资料

ESBT(Emitter Switched Bipolar Transistor)

一个2元的拆机行管(1500V,20A)+一个1块的60N03 MOS = 1500V,20A的ESBT,工作在133khz?

“射极开关双极晶体管”.传统的双极晶体管(如MJE13007)在电路中是采用基极驱动开关的方法.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/70/2217781224307862.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

射极开关是一种新的控制双极开关管的方法,采用一个低压(20~30V级别)的n-MOSFET(例如:10N03)串联在高压大电流BJT的射极,也可以用来开、关双极开关管.

工作环节:
C极接反激或正激变压器初级绕组,初级绕组另外一端接高压电源(例如PFC出来的380V)
基极B加一个电阻,和一个恒定的电压(可以在3V左右或更低).
工作过程:
当G极被施加高电平,NMOS就会导通,此时BJT射极电压为0,基极电流为正向(从基极流向射极),电流为3V/Rb, Rb为基极电阻.如果这个电流能让BJT饱和导通,则整个ESBT的压降基本为BJT压降,整管导通.
当G极从高电平变为低电平,MOS管开关速度快,在第一时间内关断,射极电流瞬间降到0. 此时基极因接电压源,仍保持导通时的电压(0.7V左右),于是基—射极之间的PN结电流降到0, 集电极---射极之间的电流由于少数载流子存储效应还没有降低到0,这些电流通过基极反向流出,形成一个基极电流反向尖峰,灌进基极偏置电源.

由于管子是NPN的,当基—射电流被掐断,集电极(N)和基极(P)之间就是一个二极管结构,基射电流掐断瞬间,CB结进行二极管反向恢复.对于绝大部分三极管,这个反向恢复的时间小于由基极驱动时的电流下降时间.

驱动时只要控制住基极电压不超过MOS管雪崩电压(30V),就不会击穿MOS.

ESBT非常适合单端拓扑.在单端正激或反激拓扑中,ESBT的最佳工作频率是100~133khz左右,而这样的工作频率是单独应用功率BJT所达不到的.因此,以多一个小MOS管的代价应用ESBT可以显著提高开关频率, 降低磁材料和电容成本以及电源体积.

此外,相比更适合于软开关应用的IGBT,ESBT更适合于硬开关应用.在很多场合,硬开关比软开关更容易控制、实现和生产.

可以参考:

ESBT的波形

从上面的波形文档里可以看出ESBT没有存储时间,下降时间在0.5us左右,切口非常平整.如关断时,电流3A(这应该是个400W级别的电源),前一次关断时灌入基极电容的电荷后一次开通时又作为驱动,反复利用.

一种常见的700V 8A BJT,售价8毛~1块

一种不那么常见的850V 30A BJT,售价3~4块

SI9926,一种售价6毛左右的7.6A 20V SOP8 NMOS

60N03,一种售价1元左右的30A 30V 0.01欧 NMOS

ESBT广告单
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215544500
LV.2
2
2008-08-02 10:52
有意思,我也曾有过这个想法,用一个高耐压的功率管接成共基串在一个低耐压的电源模块(如LM25XX)以解决耐压问题....
你说的情形,问题是:在频率特性方面关断时可以理解是MOS的特性,导通时是否又受制与BJT的频率特性呢,虽然共基结构可以避免施密特效应,仍少数载流子的存储效应呢?
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tanknet
LV.7
3
2008-08-03 08:59
@215544500
有意思,我也曾有过这个想法,用一个高耐压的功率管接成共基串在一个低耐压的电源模块(如LM25XX)以解决耐压问题....你说的情形,问题是:在频率特性方面关断时可以理解是MOS的特性,导通时是否又受制与BJT的频率特性呢,虽然共基结构可以避免施密特效应,仍少数载流子的存储效应呢?
不是有ACT30系列吗,看看就知道了
你要做什么呢?反激?

导通时,BJT的导通没有存储时间,和MOS没什么区别

但BJT的关断有存储时间,而ESBT的方式是在CB间加个反向大电流尖峰,一下子从集电极存储的空穴流回基极,而不是从射极流回基极.射极被MOS切断,不能导电了,除非基极电压上升到30V以上(是需要避免的) 把MOS击穿

ST有预封装好的ESBT,推荐工作频率是133khz,不如MOS,但比绝大部分BJT好

推荐买些1500V的行管做实验
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215544500
LV.2
4
2008-08-03 09:45
@tanknet
不是有ACT30系列吗,看看就知道了你要做什么呢?反激?导通时,BJT的导通没有存储时间,和MOS没什么区别但BJT的关断有存储时间,而ESBT的方式是在CB间加个反向大电流尖峰,一下子从集电极存储的空穴流回基极,而不是从射极流回基极.射极被MOS切断,不能导电了,除非基极电压上升到30V以上(是需要避免的)把MOS击穿ST有预封装好的ESBT,推荐工作频率是133khz,不如MOS,但比绝大部分BJT好推荐买些1500V的行管做实验
是不是这个意思500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/68/2073861217727709.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
但既然BJT,MOS,负载是串联的,MOS关断了那整个回路也就断了,为何还要照顾BJT关断的存储效应而给它一个关断电流?
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tanknet
LV.7
5
2008-08-06 10:05
@215544500
是不是这个意思[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/68/2073861217727709.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">但既然BJT,MOS,负载是串联的,MOS关断了那整个回路也就断了,为何还要照顾BJT关断的存储效应而给它一个关断电流?
关断电流是一定存在的,不可能消除掉

这个驱动电路不好,很费电、发热很大.但可以说明原理.
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tanknet
LV.7
6
2008-09-09 00:14
@tanknet
关断电流是一定存在的,不可能消除掉这个驱动电路不好,很费电、发热很大.但可以说明原理.
请大家继续讨论! 有没有人做实验?
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tanknet
LV.7
7
2008-10-18 13:51
@tanknet
请大家继续讨论!有没有人做实验?
ESBT消除了BJT的存储时间,只剩下Fall time
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215544500
LV.2
8
2008-10-29 23:19
@tanknet
ESBT消除了BJT的存储时间,只剩下Falltime
实际上就是渥尔曼电路,我用IGBT+irfz24试过,损耗仍是很大,和只用IGBT差不多,bjt倒是没试过,但一般高压的BJT导通时的Vce也不小,损耗.....整体性能和MOS是没法比的
.....上面电路中串在基极的稳压管是什么没作用?
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tanknet
LV.7
9
2008-10-29 23:31
@215544500
实际上就是渥尔曼电路,我用IGBT+irfz24试过,损耗仍是很大,和只用IGBT差不多,bjt倒是没试过,但一般高压的BJT导通时的Vce也不小,损耗.....整体性能和MOS是没法比的.....上面电路中串在基极的稳压管是什么没作用?
兄弟见多识广!
这是一种cost down的方法,因为高压MOS贵,高压BJT(特别是耐800V以上的)和低压MOS便宜,
要达到5A电流压降1.25V, MOS需要导通电阻0.25欧(20N60),ESBT只需要SI9926+13007,20N60 4块,SI9926 5毛,13007 8毛

ESBT高频性能当然不如高压MOS,频率高了它导通、关断都不正常.但是在60~130K的频段下(单端反激、正激常用频段)性能不差 成本又低.

稳压管应该是保护基极不过压用的吧, 基极过压了连MOS一起击穿
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215544500
LV.2
10
2008-10-29 23:47
@tanknet
兄弟见多识广!这是一种costdown的方法,因为高压MOS贵,高压BJT(特别是耐800V以上的)和低压MOS便宜,要达到5A电流压降1.25V,MOS需要导通电阻0.25欧(20N60),ESBT只需要SI9926+13007,20N604块,SI99265毛,130078毛ESBT高频性能当然不如高压MOS,频率高了它导通、关断都不正常.但是在60~130K的频段下(单端反激、正激常用频段)性能不差成本又低.稳压管应该是保护基极不过压用的吧,基极过压了连MOS一起击穿
老大自己做过测试没有,bjt上的功耗大不大,还有就是BJT能不能并联(单颗高压大电流的BJT也不常见啊),我正在为一个反转PFC的功率开关器件苦恼]500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/70/2073861225295178.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">,下一步搭个ESBT试试看
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/70/2073861225295260.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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tanknet
LV.7
11
2008-10-30 00:21
@215544500
老大自己做过测试没有,bjt上的功耗大不大,还有就是BJT能不能并联(单颗高压大电流的BJT也不常见啊),我正在为一个反转PFC的功率开关器件苦恼][图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/70/2073861225295178.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">,下一步搭个ESBT试试看[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/70/2073861225295260.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
BJT不能并联,因为温度越高局部电流越大,最终会烧掉一个,然后全部烧掉

PFC用ESBT?可有辅助供电?有辅助供电的话ESBT很好,没有的话,想想怎么驱动BJT基极吧,高压BJT基极需要相当大的电流驱动的

你没看到上面的BUF420(850V 30A)吗?拆机的BUF420才2块多,新的也才4块 你的PFC是多大功率的?
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215544500
LV.2
12
2008-10-30 09:20
@tanknet
BJT不能并联,因为温度越高局部电流越大,最终会烧掉一个,然后全部烧掉PFC用ESBT?可有辅助供电?有辅助供电的话ESBT很好,没有的话,想想怎么驱动BJT基极吧,高压BJT基极需要相当大的电流驱动的你没看到上面的BUF420(850V30A)吗?拆机的BUF420才2块多,新的也才4块你的PFC是多大功率的?
我的PFC 400-1000W由于是 buck boost输出(DC200V)所以开关管的耐压至少大于700V,电流也至少40A以上(1000W)这个参数的MOS几乎很难找,就算有也不好推动,我想用2个MOS串联一个600V的一个200V,这样驱动200V那个就简单多了(低压MOS的参数好很多)不知这个想法是不是很幼稚
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tanknet
LV.7
13
2008-10-30 10:45
@215544500
我的PFC400-1000W由于是buckboost输出(DC200V)所以开关管的耐压至少大于700V,电流也至少40A以上(1000W)这个参数的MOS几乎很难找,就算有也不好推动,我想用2个MOS串联一个600V的一个200V,这样驱动200V那个就简单多了(低压MOS的参数好很多)不知这个想法是不是很幼稚
只要你那个600V的还开着 200V的必炸无疑

BJT是电流控制的,射极被MOS卡断,就没有载流子了,载流子被从基极逼出来 MOS是电压控制,MOS里面载流子多着呢,只要栅极电压高 照样导通

MOS可以并联呀 弄几个800V MOS并联一下嘛 另外干嘛要Buck Boost输出? Boost输出不是效率很高吗?
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