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锂电池MOS PT8205 金誉半导体 迪浦原厂

金誉半导体原厂,迪浦电子原厂

PT8205 

20 v双n沟道增强型MOSFET  65  VDS = 20 v  特性  先进的海沟过程技术  高密度超单元设计低导通电阻  高功率和电流处理能力  理想的锂离子电池组的应用程序  最大的评级和热特性(TA = 25摄氏度除非另有注明)  参数符号限制单元  漏源极电压VDS公司20  Gate-Source电压vg±12  V  连续漏电流ID 6  脉冲漏极电流1)IDM 20  一个  TA = 25啊  C 1.6  最大功耗  TA = 75 o  C  Pd  1  W  操作结和存储温度范围TJ,测试-55 - 150 o  C  Junction-to-Ambient热阻(PCB安装)2)RθJA 78 o  C / W  1234 8765  D1  S1  S1  G1  D2  S2  S2  G2  毫米毫米  REF。  分钟。马克斯。  REF。  分钟。马克斯。  1.20马克斯。E1  A2 0.80 1.05 0.45  b  C 0.90 - 0.20  D 2.90 - 3.00  。A1 0.05 - 0.15  0.19 - 0.30  6.40 E二元同步通信  4.30 - 4.50  0.65 e二元同步通信  θ0°10°  L 0.75  TSSOP-8  笔记  脉冲宽度限制最大连接

PT8205  MOS

20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

6
5
VDS= 20V
Features
Advanced trench process technology
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
High Power and Current handing capability
Ideal for Li ion battery pack applications
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25oC unless otherwise noted)
Parameter Symbol Limit Unit
Drain-Source Voltage VDS 20
Gate-Source Voltage VGS ±12
V
Continuous Drain Current ID 6

Pulsed Drain Current

电话13682379002

541777848

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