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GaN 驱动电压

看到很多文献中提到驱动GAN 电压要非常精确的问题,一些文献提到在自举电容上并联一个齐纳二极管,实现过箍位电压; 但是我不太明白为什么不直接在GaN的栅源两级直接并联一个齐纳二极管呢?这样不是也可以实现驱动电压只在5V吗,即使二极管箍位电压不稳定上下变动0.5V左右也可以接受啊,有没有大佬给解答一下.
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2020-01-15 10:29
GAN的驱动电压建议在6V左右。
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