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图腾柱式驱动电路理论分析

由于此结构画出的电路图有点儿象印第安人的图腾柱,所以叫图腾柱式输出(也叫图腾式输出)--来自百度百科,感觉挺有意思的这个名字。

在说一下,这里只是我自己理解的,瞎理论分析一通,当然是用pspice耶仿真过,符合,但这里就不放仿真电路图了,好麻烦呀。

先假设S端信号突变没有延时,假设Q1,Q2的导通阈值为0.7v,如下图所示:

因为当负载为纯阻性负载时,Q2时不导通的,所以这里就不分析了。

当负载为电阻C负载时(模拟驱动电阻以及开关管的栅源寄生电容),先假设S原先为低电平,而此时Vq1e电压也是低电平。在T0时刻,S变为高电平,此时Vq1e时不会突变的,所以此时Vq1e>0.7v,则Q1会导通,VCC通过Q1给电阻C电路充电,此时Vq1e会慢慢的上升,当上升到Vq1be<0.7v附近时,Q1关断,电阻C停止充电,且Vq1e电压保持不变,维持在此时的电压。

在T1时刻,S变为低电平,此时Vq1e电压也是不会突变的,所以此时Vq2eb>0.7v,则Q2导通。电阻C通过Q2放电,Vq2e会慢慢下降,当下降到Vq2eb<0.7v附近时,Q2关断,电阻C停止放电,且Vq2e电压保持不变,维持在此时的电压。

所以可以得出,Q1,Q2只有在电阻C充放电的过程才会导通,也可以认为只有mos管开通或者关断的动态过程才会导通,而静态的过程两只管都是关断的。

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虹残
LV.1
2
2019-07-25 16:58
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虹残
LV.1
3
2019-07-25 16:59
@虹残
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2020-08-20 16:42
@虹残
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楼主,查找资料时,翻到您这个帖子,想请教下上管导通时的电流和下关导通时的电流大小与 S/VCC之间的压差 以及S/GND之间的压差 有关系吗?像我现在碰到一个问题希望说上晶体管打开时驱动能力等于下晶体管打开时的驱动能力(涉及到负载的电压上升时间)?不知道有没有描述清楚,我不太懂这个电路.
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