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【应征入伍】(首发)+内置高压 MOSFET、满足 6 级能效的 PWM+PFM 控制芯片--RM6316D

一:方案名称:内置高压 MOSFET、满足 6 级能效的 PWM+PFM 控制芯片--RM6316D

二:品牌:亚成微(RM)

三:产品概述:

        RM6316D 是一种离线式开关电源管理芯片,内置高压 MOSFET 及电流模式 PWM+PFM控制器,满足六级能效标准。

        RM6316D 采用低电流启动模式,最低工作电流可过到 600uA,减少待机损耗。芯片内置多种工作模式,在轻载情况下,芯片进入 Burst mode 模式,消除变压器的音频噪音,提高转换效率;在待机模式下,电路进入打嗝模式,有效降低电路的待机功耗。内部集成斜坡补偿模块,在 90V-264V 输入时有效的补偿输出功率,保证输出功率的恒定。芯片内部集成多种异常状态保护功能,包括欠压锁定,过压保护,过载保护,CS 过流和悬空保护,过温保护功能。在电路发生异常时,芯片进入保护状态并自动重启检测,直至异常解除为止,输出正常。 

四:典型特点:

1.Burst mode 模式去除音频噪音并提高轻载效率

2. 低启动电流和工作电流
3. 满足六级能效标准
4.多种工作模式
5.内部集成高压 MOSFET
6. 软启动功能
7. 抖频模式可以降低 EMI
8.电流模式控制
9. 斜坡补偿功能
10.内置前沿消隐
11.自动重启功能
12.VDD 端过压保护和欠压保护
13. 过载保护和过温保护
14.逐周期限流功能

五:应用范围:

1.电源适配器

2. 开放式电源
3. 数码相机和摄像机
4.电脑和服务器辅助电源
5.机顶盒电源
6.掌上电脑电源

六:规格及典型应用图:

七:联系方式:

有工程技术支持,方案资料及样品索取联系方式:   李生    QQ:3400462929,手机:18126115420

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