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PWM电路,下管MOSFET上电冒烟,大侠帮忙看看。

是3.3V转1.2V的D2D转换,负载小于1A。验证下管替代料,上电就冒烟烧管。是什么原因造成的?烧完以后输出就正常了,不过下管已经烧毁。替代料turn on/off delay time较大,但不像是这个造成的。线路图和波形如下图。

原物料上电没问题,波形如图:

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2019-06-12 10:43

下管为什么要用P管呢,如果下管要用P管,那么就需要和上管的驱动用同一个相位的电平。

你上管开通的时候,下管驱动是反相的低电平,这时下管也会同样开通,这样就上下直通了。

上管冒烟上管不冒烟,直通的时候,P管同时接上面N管的电流和电感的倒灌电流。

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M_ky
LV.1
3
2019-06-12 11:24
@米山人家
下管为什么要用P管呢,如果下管要用P管,那么就需要和上管的驱动用同一个相位的电平。你上管开通的时候,下管驱动是反相的低电平,这时下管也会同样开通,这样就上下直通了。上管冒烟上管不冒烟,直通的时候,P管同时接上面N管的电流和电感的倒灌电流。
上管用的是PMOS,下管用的NMOS。下管烧掉替代料也是用的NMOS,上管没有问题。只是这个替代料turn on/off delay time较大。可是从抓到的Vin 3.3V drop时间点,不像是turn off delay time过大造成的。并且有较大的负压。
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2019-06-12 12:08
@M_ky
上管用的是PMOS,下管用的NMOS。下管烧掉替代料也是用的NMOS,上管没有问题。只是这个替代料turnon/offdelaytime较大。可是从抓到的Vin3.3V drop时间点,不像是turnoffdelaytime过大造成的。并且有较大的负压。

好像是这样,你说下管的负电平较大,那么就是下管没有完全开通,或者下管需要的开通电压稍高。

如果下管完全开通,就不应该有较大的负电平。

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M_ky
LV.1
5
2019-06-12 18:37
@米山人家
好像是这样,你说下管的负电平较大,那么就是下管没有完全开通,或者下管需要的开通电压稍高。如果下管完全开通,就不应该有较大的负电平。
并且下管有body diode,应该会在下管未导通时把负压钳制住。不过量到的替代料波形就没有把负压钳制住。
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2019-06-12 19:12
@M_ky
并且下管有bodydiode,应该会在下管未导通时把负压钳制住。不过量到的替代料波形就没有把负压钳制住。

body diode性能很弱,1A的负载,峰值电流至少要超过3A了

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2019-06-12 22:13
@米山人家
bodydiode性能很弱,1A的负载,峰值电流至少要超过3A了

请问楼主的B11和A11的信号的相位是怎么样的?

如果是相差180度,那楼主的电路错误,上下管直通。

假如是同相,那就不需要两个引脚驱动。

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M_ky
LV.1
8
2019-06-13 11:34
@水乡电源
请问楼主的B11和A11的信号的相位是怎么样的?如果是相差180度,那楼主的电路错误,上下管直通。假如是同相,那就不需要两个引脚驱动。
上下管分别是PMOS和NMOS,分开驱动是因为芯片出脚就分上下管驱动。线路实际工作正常的。只是其中一个替代料上电就冒烟,不懂是哪个参数选不对。试着在下管DS间加二极管就不会烧。
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M_ky
LV.1
9
2019-06-18 10:36
厂商FAE回复说是body diode耐受能力差,烧开路了。此料不适用于此应用。
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