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EGS002 H橋高頻一直炸管求解 感謝..
阅读: 865 |  回复: 16 楼层直达

2019/05/14 23:16:55
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123adg
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士兵

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各位大神好

小弟最近刚摸EGS002板子做逆变器

我要输入DC156v输出AC110-60Hz

我将C2,C8自举换成47uf的RG电阻22欧姆,RGS电阻10K欧姆

也有在2边半桥管上接CBB电容

因为不需要Vfb与Ifb所以给予Vfb:2.8v,Ifb:接地

一般100w都还可以但是载往上就会一直炸高频管,困扰了很久......

MOSFET:TK31N60X,这样子MOS规格都还不行,继续炸管

为了保护驱动版,将讯号4条线单独拉出来在给TLP350,其他参数一样,但是不管怎么送,讯号都有毛边,MOS也一直炸,真的找不到原因了....后面滤波电感目前先用1.5mH,电容2.2uF

最终的输出要AC:110v,60Hz 1000w输出请各位大大帮帮忙了,真的心很累,弄不来快流泪了......

在往上要200瓦特瓦时,直流电压就上不去了,125V,电流0.5A就炸了

下面是我的波型图

标签 逆变器
2019/05/15 12:15:06
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米山人家
电源币:139 | 积分:41 主题帖:9 | 回复帖:552
LV7
旅长

R11,R12,R15,R16换成20欧或30欧,4.7欧太小,相当于没有。

另外IR840并联阻尼二极管,IR840内部的二极管是寄生的,特性很差,满足不了电感续流要求

2019/05/15 12:58:03
3
123adg
电源币:0 | 积分:4 主题帖:1 | 回复帖:0
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士兵

我用的MOS是TK的,型号TK31N60X,TO-247封装

R11、R12、R15、R16目前已经是放22欧姆的

但是使用寄生二极体,没有外挂

谢谢大哥

2019/05/15 13:02:01
4
123adg
电源币:0 | 积分:4 主题帖:1 | 回复帖:0
LV1
士兵

这个是我的MOS内部资料

TK31N60X

2019/05/15 15:56:58
5
FQCAD
电源币:45 | 积分:10 主题帖:1 | 回复帖:43
LV4
连长
首先VFB不要直接接个2.8V上去,而是将其正常接电压反馈。要出110V,大概用100K+2K分压即可。大多数炸管原因是:由于米勒效率,同一桥臂两个管,其中一个开通时,干扰另一个误导通,导致上下桥直通短路炸管。输入电容越大的场管,干扰越是严重。可以通过观察波形得知,会发现驱动波形振铃严重。解决方式是,改用负压关断,或换比较容易驱动的功率管,如部分IGBT。二是死区应该设大点,最好不少于1US
2019/05/15 16:42:27
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123adg
电源币:0 | 积分:4 主题帖:1 | 回复帖:0
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士兵

我的死区设置是1.5us

目前手边没有IGBT,但是我使用的这颗MOS的电容应该是蛮小的了

100k跟2k的电阻应该放在哪边呢?   R19跟R23吗?

因为想说不需要回授,直接给予一个额定电压让它不会进入保护

拉回授的方法不是需要考虑更多的变数嘛?

还是小弟认知有错误呢?

还烦请各位大神帮助厘清小弟的观念,感谢各位了

2019/05/15 17:12:55
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FQCAD
电源币:45 | 积分:10 主题帖:1 | 回复帖:43
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连长
R19用100K,R21用2K,如果不需要微调,可不要R23。电压反馈是,输出电压经分压滤波后与EG8010内部3V进行误差计算的,正常工作时,VFB应该是3V的峰值电压。低于就会自动调高占空比,直至最大占空比,电路如果本身工作不稳压,干扰大。当占空比过高时,更容易炸管。
2019/05/16 15:33:05
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123adg
电源币:0 | 积分:4 主题帖:1 | 回复帖:0
LV1
士兵
杂讯依旧严重,又炸管了,只要一送主电源,杂讯全部跑出来,不送主电源开关波型都正常
2019/05/16 21:10:58
9
FQCAD
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连长
不知你要做多大的输出功率,建议换成IGBT管FGH40N60,很容易驱动,体二极管恢复时间快。对于SPWM的 H桥,试过很多型号的管,发现同级别的MOS比IGBT难驱动,G极振荡很大。
2019/05/16 21:38:46
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123adg
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士兵

好的,我已经订货了还请教一个问题,您的Rg跟Rgs都是放20欧姆还有10k欧姆吗?

因为我目前要做的是1000w,最大110v、10A

输出想直接输入直流156v转成110v交流输出供给负载。

请问一下,您的逆变器一样是只有EGS002的板子跟H桥吗?可否知道您都是用那些参数呢?

我看别人的帖子好像都还有另外一块电路板,我的单只有EGS002+H桥,不知道是否有什么影响呢?

2019/05/17 13:12:26
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FQCAD
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LV4
连长
RG电阻可参考功率管的规格书上的值,一般选4.7-10欧之间,过小驱动波形上升过快,容易振荡,导致不稳定。过大功率管开启时间过长,损耗增加,发热大。取舍问题,视实际情况选择一个平衡点。RGS电阻则没有太多要求,并此电阻主要是降低MOS管输入阻抗,某些情况可抑制干扰信号,避免管子误导通,阻值越小抑制效果越好,但会增加驱动负担,一般取4.7K。如果只是将156V直流变110V交流,EGS002加H桥,再加LC滤波即可。电路参数没有什么区别的,关键在于布线,驱动线应尽可能短
2019/05/17 13:17:17
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FQCAD
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LV4
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在GS极并入适当的电容,可以缓解振荡,副作用是开启时间变长,损耗增加,但稳定性要很多。
2019/05/18 13:21:58
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123adg
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LV1
士兵

我昨天将原NMOS换成IGBT,确实波型好了非常多

在GS两端有并上一颗电容,容值是0.1Ciss约200pF,但高频桥依旧有杂讯待解决

这时候是100w,还不敢送载

因为我是找到现有的IGBT上去接,型号是:IRGP4069D,不知道是否跟开关的特性有关系才有这高频桥杂讯

请问大哥的FGH40N60用TLP350是否推得动呢?

附上目前的開關波型圖

2019/05/18 13:26:10
14
123adg
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士兵

感谢大哥指导,目前波型确实好了非常多,但在解决高频桥的杂讯出现

这方面各位大哥在做逆变器会去量测开关波型GS吗?

上图的波型是我有在MOS三脚上都挂上磁珠去量测,但依旧在高频桥有杂讯

还是可以不去管那些杂讯继续送载呢?

2019/05/19 11:19:05
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FQCAD
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1。GS电容建议并到2nf,保证上升时间不超400NS为宜,

2.TLP350驱动FGH40N60卓卓有余,驱动太强也未必是好事,实际上最大驱动电流又会受制于RG电阻的值。考虑低成本的话,用IR2110驱动即可。

3.对于SPWM的H桥,无论如何波形都不会做得很理想的,与MOS,IGBT的特性有关,米勒效应只能减弱,不能消除。波形多少都会有振荡,特别是上升过程,主要是要避免管子关断之后,不要被振荡干扰导致误导通即可。常规做法是关断用有源钳位,或用负压关断。

驱动波形拉开观察,看细节,主要看同一臂的一个管子关断后,在另一管开通瞬间,会有一个振荡,主要保证这个振荡电压不要到达管子的开启电压,最好能在3V以下,才能放心带载测试。

另外还可以通过串入电流表监测H侨的空载电流,正常情况,空载电流应在几毫安范围。

2019/05/19 11:39:44
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FQCAD
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如果你只是用在110V输出的场合,母线200V左右的话,不建议用600V的管子,耐压太高浪费,选300V-400V的就可以了
2019/05/20 15:20:14
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123adg
电源币:0 | 积分:4 主题帖:1 | 回复帖:0
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士兵

谢谢大哥的指导!

在昨天修改后,已经可以升上一千瓦了!

虽然波型稍微有些变尖,这点我在思考是不是我的输出电感太小,毕竟目前电感只有1.5mH,电容2.2uF

下图是我的输入与输出

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