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150 W输出功率仍可采用反激式拓扑结构

       用TOP258Y提供150 W(19 V+7.7 A) 输出功率,效率高达84%。此功率级仍可采用反激式拓扑结构,因为输出电流大,而使得次级峰值电流足大,从而可以合理选择大小适当的输出二极管,我用了两个相同型号的二极管来完成整流工作。

     输出电压控制使用传统的TL431参考IC控制输出电压,用电电阻分压用于检测输出电压。TL431控制光耦UC817的LED电流并设置整体控制环路的直流增益。最终反馈到芯片TOP258Y的控制脚。也可以使用输出电压齐纳二极管VR 设置输出电压的,简单反馈电路进行自动调节。

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2019-05-15 13:59
反激式拓扑最大说是可以到200W,没有试过变压器利用率太低了。
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2019-05-15 21:22
反激式拓扑结构有偏置绕组的时候待机功耗可以控制在30mw以内
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hyldsg
LV.5
4
2019-05-15 21:45
TL431控制光耦UC817的LED电流并设置整体控制环路的直流增益。最终反馈到芯片TOP258Y的控制脚
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2019-05-22 09:53
反激式能到150 W 输出功率,效率84%,还是不错的!
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x34242980
LV.9
6
2019-05-22 12:45
现在还可以使用的变压器绕组比来进行芯片供电和输出电压反馈
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2019-05-22 15:33
@a2512848524
反激式能到150W输出功率,效率84%,还是不错的!
输出功率也较大,高压功率MOSFET开关以及初级侧和次级侧控制器
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2019-05-22 15:56
@a2512848524
反激式拓扑最大说是可以到200W,没有试过变压器利用率太低了。
反激电源的变压器使用率是低了一些,变压器上面还要加气息还能工作。
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2019-05-22 16:00
@ycdy09@163.com
反激式拓扑结构有偏置绕组的时候待机功耗可以控制在30mw以内
有变压器的偏置绕组的待机功耗30mw以内,直接供电的话可能大于300mW。
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z1249335567
LV.8
10
2019-05-22 16:06
@h547515318
输出功率也较大,高压功率MOSFET开关以及初级侧和次级侧控制器
进一步简化恒压和恒流功能的设计省去光耦器和次级控制电路。
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2019-05-22 16:26
@a2512848524
反激式能到150W输出功率,效率84%,还是不错的!
150 W输出功率比较大可以做好多产品了、
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