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初级侧MOS管平台 后沿波形分析
初级侧MOS管平台 后沿波形分析
做12V3A~4A次级带同整方案时候,初级MOS管后沿会出现如下波形,应该是同整芯片提前关断了,这个小凸点怎么才能消除呢?
是同整芯片内部关断时间设置导致?
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朝阳之星
LV.4
2
2019-04-16 17:20
如果确定是同步芯片关段的话,也就是所谓的死区,次级MOS并联肖特基,可以防止死区。
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xw0241115
LV.5
3
2019-04-16 17:25
@朝阳之星
如果确定是同步芯片关段的话,也就是所谓的死区,次级MOS并联肖特基,可以防止死区。
增加肖特基加快关断,也增加了成本,估计客户不答应啊。还有其他方法吗?@朝阳之星
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朝阳之星
LV.4
4
2019-04-17 08:44
@xw0241115
增加肖特基加快关断,也增加了成本,估计客户不答应啊。还有其他方法吗?@朝阳之星
加一个1A或者2A的肖特基就好,这个肖特基只是在进入死区的时候用,首先找到问题出现的原因就好解决.
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xw0241115
LV.5
5
2019-04-18 09:01
@朝阳之星
加一个1A或者2A的肖特基就好,这个肖特基只是在进入死区的时候用,首先找到问题出现的原因就好解决.
有这个凸点,说明是次级提前关断,虽然不影响可靠性,但效率确实会降低一些如降低0.5%左右。也就是说牺牲了一点效率提高了可靠性,避免初次级同时开通而导致炸机。
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朝阳之星
LV.4
6
2019-04-18 17:13
@xw0241115
有这个凸点,说明是次级提前关断,虽然不影响可靠性,但效率确实会降低一些如降低0.5%左右。也就是说牺牲了一点效率提高了可靠性,避免初次级同时开通而导致炸机。
就像你说的如果不加二极管可能会炸机
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