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S7302-单片式高性能同步整流器

一:方案名称:单片式高性能同步整流器--S7302

二:方案品牌:芯飞凌-SDS(自主研发)

三:方案功能及特点

 1. 支持非连续模式(DCM)

 2.支持准谐振模式(QRM)

 3.内部集成高性能功率MOSFET

 4.高度集成,只需极少外围器件

四:方案描述

          S7302是一款高性能高集成度单片式次级同步整流控制 IC, 内部集成一个超低导通阻抗的 N沟道的 MOSFET 以及一个同步整流的驱动及控制电路。

          S7302 被设计在非连续开关模式(DCM)下工作, 内部集成的高性能 N 沟道MOSFET 具有低开启阀值电压、 超低导通阻抗,超快速开关特性。 同时本体寄生的二极管具备超快速的反向恢复时间。

          S7302 可应用在输出为 5V 标准的反激控制的开关电源系统中,以替代次级整流二极管。

          S7302能有效的降低次级整流管的功率损耗,内部电路通过检测 MOSFET 的 VDS 之间的电压变化产生一个理想的驱动信号来控制内部MOSFET的导通与截止。非常适合要求尺寸更小, 转换效率求更高的应用中。

          S7302将为客户提供个一个优异的解决方案。

五:芯片封装:S7302提供SOP8封装。

六:应用范围:

                    1. 充电器和适配器的同步整

                    2. 反激式控制器

七:典型应用:

八:联系方式:

QQ:153827124  电话:15016204399     凌生

可以提供资料和送样测试,有技术支持,欢迎咨询。

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lph1994
LV.1
2
2019-05-09 17:17
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lph1994
LV.1
3
2019-05-14 17:07
好 好  好
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lph1994
LV.1
4
2019-05-18 11:27
单片式高性能同步整流器--S7302
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hhh1994
LV.3
5
2019-05-21 16:34
支持非连续模式(DCM)
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lph1994
LV.1
6
2019-05-24 16:32
S7302 被设计在非连续开关模式(DCM)下工作, 内部集成的高性能 N 沟道MOSFET 具有低开启阀值电压、 超低导通阻抗,超快速开关特性。 同时本体寄生的二极管具备超快速的反向恢复时间。
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XLXlph
LV.4
7
2019-07-04 09:06
可以,可以
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hhh1994
LV.3
8
2019-07-05 17:33
 S7302是一款高性能高集成度单片式次级同步整流控制 IC, 内部集成一个超低导通阻抗的 N沟道的 MOSFET 以及一个同步整流的驱动及控制电路。
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lph1994
LV.1
9
2019-07-12 11:28
发一份资料给我19950701@qq.com,谢谢
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hhh1994
LV.3
10
2019-07-16 11:20
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hhh1994
LV.3
11
2019-07-24 11:20

  S7302是一款高性能高集成度单片式次级同步整流控制 IC, 内部集成一个超低导通阻抗的 N沟道的 MOSFET 以及一个同步整流的驱动及控制电路。

          S7302 被设计在非连续开关模式(DCM)下工作, 内部集成的高性能 N 沟道MOSFET 具有低开启阀值电压、 超低导通阻抗,超快速开关特性。 同时本体寄生的二极管具备超快速的反向恢复时间。

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lph1994
LV.1
12
2019-08-09 16:18
S7302是一款高性能高集成度单片式次级同步整流控制 IC, 内部集成一个超低导通阻抗的 N沟道的 MOSFET 以及一个同步整流的驱动及控制电路。
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hhh1994
LV.3
13
2019-09-02 10:29
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