這現象是MOSFET_G - S被擊穿所致, 可以藉由開蓋分析Die 狀況得到答案..
你電路使用上的盲點是" 電感串聯於S端, 所以電路 VGS 存在 △VL+Vcontrol
其中△VL 與輸出電流有關, 可以試著將MOSFET往後移, 電感連接於"D" 不要連接於"S"
1.R77和输出共模电感的对地隔离作用,
2.在驱动开与关切换之间,MOSFET处于了浮地的状态,此时MOSFET耐压大幅度降低,MOSFET击穿.
改善. 1.因为MOSFET可移动位置困难,可以试在MOSFET的GS间并联一个12V 稳压管和5.1K放电电阻.看能改善到什么状态.
