MOS管栅极开路一上电为何会炸机
/upload/community/2019/03/22/1553216620-89184.docx请大师不吝指点,为何MOS管G不出脚 一上电即会炸机,换成是三极管B极开路不会炸机,难道是MOS管本身结构不同吗?它是怎么才炸机的,类试例炸,我已反复验证过,就是不知何原因?能告之炸机工作原理吗?
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@11455355
MOS,IGBT都是电压驱动器件,G极输入阻抗高,悬空的G极易被静电,人体感应,电磁感应因素干扰,造成MOS意外导通,所以不可G悬空而DS加载电流,否则很容易炸管。GS之间需要连接一个下拉电阻,用于泄放G极电荷才能保证MOS不会因悬空而意外导通。而三极管是电流驱动器件,B极需要较大电流驱动,而不易被干扰造成意外导通。
开关MOS管栅极不出脚或空焊,一上电漏极通过Cdg给G栅极充电,G极电压不受控,一直上升,此时IDS电流会不断上升,超出MOS管的工作电流而发热烧毁MOS管,如栅极有一个下拉电阻接地,G极电压不会因Cgd 不断充电上升,G极有电阻接地而形成放电回路,故G极电压不会无限上升,故不会炸机,不知分析的对否!
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@lqh1972
开关MOS管栅极不出脚或空焊,一上电漏极通过Cdg给G栅极充电,G极电压不受控,一直上升,此时IDS电流会不断上升,超出MOS管的工作电流而发热烧毁MOS管,如栅极有一个下拉电阻接地,G极电压不会因Cgd不断充电上升,G极有电阻接地而形成放电回路,故G极电压不会无限上升,故不会炸机,不知分析的对否!
开关MOS管栅极不出脚或空焊,一通电漏极通过Cdg给G栅极充电,G极电压不受控,一直上升,此时IDS电流会不断上升,超出MOS管的工作电流而发热烧毁MOS管,如栅极有一个下拉电阻接地,G极电压不会因Cgd 不断充电上升,G极有电阻接地而形成放电回路,Cgs不会无止境的充电,故G极电压不会无限上升,先VGS电压超标烧G-S极后再烧D-S极,即在同一时刻三极G-D-S都击穿,烧源极和栅极相连电阻,故不会炸机,不知分析的对否?
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