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MOS管栅极开路一上电为何会炸机

/upload/community/2019/03/22/1553216620-89184.docx请大师不吝指点,为何MOS管G不出脚 一上电即会炸机,换成是三极管B极开路不会炸机,难道是MOS管本身结构不同吗?它是怎么才炸机的,类试例炸,我已反复验证过,就是不知何原因?能告之炸机工作原理吗?
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hylylx
LV.9
2
2019-03-22 09:50
熟悉并初步了解mos管的结构和工作原理,
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cjw318
LV.7
3
2019-03-22 10:17

MOS管栅极几乎绝缘不导电故其阻抗极高,悬浮时会感应静电并使MOS管处于开通状态,于是在通电瞬间因源-漏极间的大电流就炸了。

所以MOS管在存放时要在三个电极上套以导电泡沫或短路之。

在电路设计上要在删-漏之间并一个泄放电阻或者十几伏的稳压管。

而三极管的基极-发射极之间是PN结,呈单向导电且阻抗亦低,不会积累静电,因此悬空基极三极管也不会自行导通,当然上电也不会烧管子了。

不过基极悬空的话,集-射之间的耐压会降低。

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2019-03-22 10:17
11455355
LV.9
5
2019-03-22 17:37

MOS,IGBT都是电压驱动器件,G极输入阻抗高,悬空的G极易被静电,人体感应,电磁感应因素干扰,造成MOS意外导通,所以不可G悬空而DS加载电流,否则很容易炸管。GS之间需要连接一个下拉电阻,用于泄放G极电荷才能保证MOS不会因悬空而意外导通。

而三极管是电流驱动器件,B极需要较大电流驱动,而不易被干扰造成意外导通。

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lqh1972
LV.5
6
2019-03-22 20:22
@11455355
MOS,IGBT都是电压驱动器件,G极输入阻抗高,悬空的G极易被静电,人体感应,电磁感应因素干扰,造成MOS意外导通,所以不可G悬空而DS加载电流,否则很容易炸管。GS之间需要连接一个下拉电阻,用于泄放G极电荷才能保证MOS不会因悬空而意外导通。而三极管是电流驱动器件,B极需要较大电流驱动,而不易被干扰造成意外导通。

开关MOS管栅极不出脚或空焊,一上电漏极通过Cdg给G栅极充电,G极电压不受控,一直上升,此时IDS电流会不断上升,超出MOS管的工作电流而发热烧毁MOS管,如栅极有一个下拉电阻接地,G极电压不会因Cgd 不断充电上升,G极有电阻接地而形成放电回路,故G极电压不会无限上升,故不会炸机,不知分析的对否!

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lqh1972
LV.5
7
2019-03-22 20:25
@lqh1972
开关MOS管栅极不出脚或空焊,一上电漏极通过Cdg给G栅极充电,G极电压不受控,一直上升,此时IDS电流会不断上升,超出MOS管的工作电流而发热烧毁MOS管,如栅极有一个下拉电阻接地,G极电压不会因Cgd不断充电上升,G极有电阻接地而形成放电回路,故G极电压不会无限上升,故不会炸机,不知分析的对否!

开关MOS管栅极不出脚或空焊,一通电漏极通过Cdg给G栅极充电,G极电压不受控,一直上升,此时IDS电流会不断上升,超出MOS管的工作电流而发热烧毁MOS管,如栅极有一个下拉电阻接地,G极电压不会因Cgd 不断充电上升,G极有电阻接地而形成放电回路,Cgs不会无止境的充电,故G极电压不会无限上升,先VGS电压超标烧G-S极后再烧D-S极,即在同一时刻三极G-D-S都击穿,烧源极和栅极相连电阻,故不会炸机,不知分析的对否?

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lqh1972
LV.5
8
2019-03-23 08:26
@ymyangyong
看下http://www.dianyuan.com/bbs/582407.html。
版主,你提供的链接打不开!能否剪切、粘贴回复在下!
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lqh1972
LV.5
9
2019-03-23 08:49
@lqh1972
开关MOS管栅极不出脚或空焊,一通电漏极通过Cdg给G栅极充电,G极电压不受控,一直上升,此时IDS电流会不断上升,超出MOS管的工作电流而发热烧毁MOS管,如栅极有一个下拉电阻接地,G极电压不会因Cgd不断充电上升,G极有电阻接地而形成放电回路,Cgs不会无止境的充电,故G极电压不会无限上升,先VGS电压超标烧G-S极后再烧D-S极,即在同一时刻三极G-D-S都击穿,烧源极和栅极相连电阻,故不会炸机,不知分析的对否?[图片][图片]
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2019-03-23 11:19
@lqh1972
版主,你提供的链接打不开!能否剪切、粘贴回复在下!
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gkkgl
LV.1
11
2019-03-25 14:47
功率管都有自带上拉电容特性
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