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INN2214设计的快充电源

INN2214芯片集成了650V MOSFET,Sync-Rect反馈和用于USB-PD和QC 3.0的恒功率输出,大大简化了低压大电流电源。芯片能够对次级侧同步整流MOSFET及初级侧MOSFET的开关进行精确控制,增强系统可靠性,提高整个负载范围内的效率。

        设计中主要采用INN2214设计的低成本、高效率快速充电适配器,采用很薄的eSOP-R16B封装,搭配小型散热片,散热性能非常好,使充电器的效率更高。充电器可提供5 V/3 A,9 V/2 A和12V/1.5 A输出,支持QC3.0快充协议,整个电路功耗很低。

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k6666
LV.9
2
2019-03-04 13:35
INN2214是pi为USB-PD及快充打造的离线式反激恒压/恒流开关芯片。
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2019-03-04 19:25
INN2214是PI的快充主流芯片,设计方案成熟,不过需要搭配快充协议芯片实现快充功能。
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紫蝶
LV.9
4
2019-03-04 21:15
eSOP-R16B封装比较独特,输出功率大的时候,散热好处理。
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gxg1122
LV.10
5
2019-03-05 12:46
@k6666
INN2214是pi为USB-PD及快充打造的离线式反激恒压/恒流开关芯片。
INN2214次级检测恒流,当输出低至3V电压的时候进入自动重启保护。
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gxg1122
LV.10
6
2019-03-05 12:47
@奋斗的青春
INN2214是PI的快充主流芯片,设计方案成熟,不过需要搭配快充协议芯片实现快充功能。
INN2214、INN2215电路设计方案很多,均搭配快充协议实现QC3.0协议。
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gxg1122
LV.10
7
2019-03-05 12:52
@紫蝶
eSOP-R16B封装比较独特,输出功率大的时候,散热好处理。
eSOP-R16B封装尺寸是10.16 x 8.89 x 2.34mm,很薄的。
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tabing_dt
LV.10
8
2019-03-05 13:09
@紫蝶
eSOP-R16B封装比较独特,输出功率大的时候,散热好处理。
eSOP-R16B封装具有高爬电距离的,更容易符合安规,而且这个封装很薄。
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tabing_dt
LV.10
9
2019-03-05 13:10
@gxg1122
INN2214、INN2215电路设计方案很多,均搭配快充协议实现QC3.0协议。
要搭配QC3.0协议的接口芯片才能实现QC3.0快充的,比如PI的CHY103
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k6666
LV.9
10
2019-03-05 13:14
@tabing_dt
要搭配QC3.0协议的接口芯片才能实现QC3.0快充的,比如PI的CHY103
现在PI新出的INN3系列的芯片支持QC4.0协议,输出功率更大、充电时间更短。
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k6666
LV.9
11
2019-03-05 13:22
@tabing_dt
eSOP-R16B封装具有高爬电距离的,更容易符合安规,而且这个封装很薄。
在电气上,对最小爬电距离的要求,和两导电部件间的电压有关,和绝缘材料的耐泄痕指数有关。
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2019-03-23 15:08
@tabing_dt
要搭配QC3.0协议的接口芯片才能实现QC3.0快充的,比如PI的CHY103
INN2214在快充手机适配器中应用很多。高效安全。
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2019-03-23 15:08
@紫蝶
eSOP-R16B封装比较独特,输出功率大的时候,散热好处理。
未来快充应用领域应该是QC4.0的芯片了,功率更大。
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2019-03-23 15:10
@gxg1122
INN2214次级检测恒流,当输出低至3V电压的时候进入自动重启保护。
大功率快充,PI的芯片应用案例现在越来越多了。
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飞翔2004
LV.10
15
2019-03-23 20:35
@尘埃中的一粒沙
大功率快充,PI的芯片应用案例现在越来越多了。
这个系列的功率也越来越大了,InnoSwitch3最大功率可以做到65W了。
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飞翔2004
LV.10
16
2019-03-23 20:37
@紫蝶
eSOP-R16B封装比较独特,输出功率大的时候,散热好处理。
InnoSwitch芯片通过加铜箔,既能传导热能,又可以减少传导和辐射的干扰。
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飞翔2004
LV.10
17
2019-03-23 20:39
@gxg1122
eSOP-R16B封装尺寸是10.16x8.89x2.34mm,很薄的。
可以通过使用导热片的直接散热方法可以有效将芯片产生的热量直接带走,从而达到散热的效果。
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