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电压浪涌抑制

用的凌特的LTC7862做电压浪涌抑制,24V电压输入,输入浪涌电压100V,以一秒间隔产生5个50ms的脉冲。。空载的时候输入浪涌电压正常,但是当带20A负载的时候输入浪涌电压时,芯片LTC7862直接烧坏,有谁用过给指点指点吗,或者谁用过满足我这条件的芯片给推荐推荐。
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hylylx
LV.9
2
2019-01-28 16:49
不懂
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2019-01-28 19:08
50毫秒脉宽的话,必须按输入100V设计了……
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2019-01-31 18:55
设计超额?/
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2019-02-14 08:58
前端加入防浪涌控制IC,帮助嵌位电压。LTC有
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2019-02-27 08:24
4363防浪涌
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liq618
LV.1
7
2019-02-27 23:18
@romantic878595
前端加入防浪涌控制IC,帮助嵌位电压。LTC有
LTC7862本身就是一个浪涌抑制芯片,为什么还要加防浪涌IC?
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liq618
LV.1
8
2019-02-27 23:32
这款芯片我也再用,但是测试条件没有您那么恶劣,我这边是20s一次50ms的浪涌,不过我这边在测试的时候,也是总会损坏芯片,找不到根本原因
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2019-03-18 10:41

我也正在做这个,手册上有推荐的原理图,我用的是5A的负载,若做连续脉冲需要注意:

1.大负载情况下需要加大输出滤波电容容量;

2.输出电流采样电阻必须采样开尔文解法;

3.联系脉冲总时间必须小于设计的定时器总时间;

4.输出端并联加一个1uF或0.1uF电容;

5.输出电流采样电阻值必须经过计算;

6.TG上连接的MOS管必须使用底导通电阻MOS,必要时根据MOS手册在栅极串G电阻。

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wenhao1
LV.2
10
2019-12-24 21:41
@xiaoqiang322
我也正在做这个,手册上有推荐的原理图,我用的是5A的负载,若做连续脉冲需要注意:1.大负载情况下需要加大输出滤波电容容量;2.输出电流采样电阻必须采样开尔文解法;3.联系脉冲总时间必须小于设计的定时器总时间;4.输出端并联加一个1uF或0.1uF电容;5.输出电流采样电阻值必须经过计算;6.TG上连接的MOS管必须使用底导通电阻MOS,必要时根据MOS手册在栅极串G电阻。
输入只要过压,芯片tg与SW脚短路,这是什么原因?
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fanchay
LV.5
11
2019-12-25 15:04
哥们 。你这个1s产生5个50ms的脉冲,是基于什么标准提出的?浪涌间隔没这么紧凑把。另外这么紧凑的浪涌,应该烧毁的MOS,而不是芯片LTC7862
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waterssj
LV.3
12
2020-03-02 14:10
带载的时候跟浪涌电流叠加,会不会超过MOS最大电流?
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2020-06-06 15:42
楼主能不能加一下微信或者QQ,请教一下这个芯片怎么调试。
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2020-06-08 09:49
@liq618
这款芯片我也再用,但是测试条件没有您那么恶劣,我这边是20s一次50ms的浪涌,不过我这边在测试的时候,也是总会损坏芯片,找不到根本原因
楼主能不能加一下微信或者QQ,请教一下这个芯片怎么调试。
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son2011
LV.4
15
2020-07-05 17:39
@qinzutaim
50毫秒脉宽的话,必须按输入100V设计了……
大佬们,帮看看我这个电路能不能过2KV流涌,保护后面的DC-DC,输入12V-36V
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2020-08-08 09:36
我也是烧了好几个,找不到原因
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