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MOSFET工作在恒流区失效分析

今天在模拟保护板带载开关测试在充放电管GS分别用电源单独供电13V让MOSFET导通,

然后放电管S极接另一大功率电源负极,充电管S极接负载仪的负极,电源的正接负载仪的正,

电源输出66V 15A(负载仪带载)。当关断放电管驱动供电电源,放电管就有击穿现象。失效波形如下

上图黄色为GS波形、绿色为DS波形。从上图来看,在VGS下降到3.75V左右,MOSFET失控。

把失效的MOSFET拆下来用万用表测试,发现DS出现短路。

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skchen
LV.3
2
2018-12-28 23:15
对失效MOSFET明天开帽,用高倍显微镜看下烧点位置
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寒碧
LV.3
3
2018-12-29 12:44
@skchen
对失效MOSFET明天开帽,用高倍显微镜看下烧点位置
有结果没?
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skchen
LV.3
4
2018-12-29 12:55
@寒碧
有结果没?
开帽进行中
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skchen
LV.3
5
2019-01-03 13:06
@skchen
开帽进行中

从开帽图片来看,烧点在打线附近并且芯片出现45°炸裂

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Mr_刘
LV.3
6
2019-01-03 14:19
@skchen
[图片]从开帽图片来看,烧点在打线附近并且芯片出现45°炸裂

楼主您好,45度炸裂是怎么看呢?

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skchen
LV.3
7
2019-01-03 15:15
@Mr_刘
楼主您好,45度炸裂是怎么看呢?
上面的芯片裂纹几乎是三个象限的平分线
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zz052025
LV.9
8
2019-01-05 09:33
@skchen
上面的芯片裂纹几乎是三个象限的平分线
坐等分析结论
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