使用MOSFET在电路中做防反接保护，N管与P管区别，互相探讨下

PMOS防护

如图：上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约为Vs=Vin-0.6V，而栅极G的电位为0，MOS管的开启电压极为：Vgs=0-Vs，栅极表现为低电平，PMOS的ds导通，寄生二极管被短路，系统通过PMOS的ds接入形成回路。

若电源接反，NMOS的导通电压大于0，PMOS截止，寄生二极管反接，电路是断开的，从而形成保护。

注意：NMOS管将ds串到负极，PMOS管ds串到正极，寄生二极管方向朝向正确连接的电流方向；

MOS管的D极和S极的接入：通常使用N沟道的MOS管时，一般是电流由D极进入而从S极流出，PMOS则S进D出；应用在这个防反接电路中时则正好相反，通过寄生二极管的导通来满足MOS管导通的电压条件。MOS管只要在G和S极之间建立一个合适的电压就会完全导通。导通之后D和S之间就像是一个开关闭合了，电流是从D到S或S到D都一样的电阻。