MOS管失效6大原因之雪崩失效原因分析

到底什么是雪崩失效呢，简单来说MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间，导致的一种失效模式。简而言之就是由于就是MOSFET漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。

下面的图片为雪崩测试的等效原理图，做为电源工程师可以简单了解下。

可能我们经常要求器件生产厂家对我们电源板上的MOSFET进行失效分析，大多数厂家都仅仅给一个EAS.EOS之类的结论，那么到底我们怎么区分是否是雪崩失效呢，下面是一张经过雪崩测试失效的器件图，我们可以进行对比从而确定是否是雪崩失效。

雪崩失效的预防措施

雪崩失效归根结底是电压失效，因此预防我们着重从电压来考虑。具体可以参考以下的方式来处理。

1：合理降额使用，目前行业内的降额一般选取80%-95%的降额，具体情况根据企业的保修条款及电路关注点进行选取。

2：合理的变压器反射电压。

3：合理的RCD及TVS吸收电路设计。

4：大电流布线尽量采用粗、短的布局结构，尽量减少布线寄生电感。

5：选择合理的栅极电阻Rg。

6：在大功率电源中，可以根据需要适当的加入RC减震或齐纳二极管进行吸收。