如下图所示，如果NPN管工作在饱和区(做开关使用)，基极的电压在没有超过Veb(max)的情况下，例如在3V，基极上需要串接限流电阻么？
三极管的极限参数如下：
希望慧者能把具体需要或者不需要的原因讲清楚，小弟在此感谢感谢！
【求教】晶体管基极有没有必要串接限流电阻
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@lankejushi
看来你没有真正掌握NPN和PNP两种硅三极管的原理。你知道Vebo的真正含义是什么吗？它指的是三极管的be结能承受的最大反向击穿电压（齐纳击穿），对于硅管来说，大致在6V左右。如下图：（点击图片放大看）[图片]由此可见，你问的问题和Vebo的真正含义风马牛不相及。你担心的是三极管be结正向偏置是否会因为限流不当而损坏，和6V的Vebo值毫无关系，因为Vebo指的是be结反向偏置的齐纳击穿电压。那么回到你的问题：三极管工作在开关状态，其基极当然要接一定阻值的限流电阻，否则前级输出有可能因输出内阻不足而短路烧坏前级。毕竟三极管be结正向偏置时电压降被钳位为0.65V~0.7V。
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@lankejushi
看来你没有真正掌握NPN和PNP两种硅三极管的原理。你知道Vebo的真正含义是什么吗？它指的是三极管的be结能承受的最大反向击穿电压（齐纳击穿），对于硅管来说，大致在6V左右。如下图：（点击图片放大看）[图片]由此可见，你问的问题和Vebo的真正含义风马牛不相及。你担心的是三极管be结正向偏置是否会因为限流不当而损坏，和6V的Vebo值毫无关系，因为Vebo指的是be结反向偏置的齐纳击穿电压。那么回到你的问题：三极管工作在开关状态，其基极当然要接一定阻值的限流电阻，否则前级输出有可能因输出内阻不足而短路烧坏前级。毕竟三极管be结正向偏置时电压降被钳位为0.65V~0.7V。
你这个回复，我不得不给你
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@juntion
有沒有必要是看前端驅動而定.....通常,電晶體飽和定義為:當IB* β>>IC時,則稱為飽和所以IB沒有一個定值,這時幹嘛限流? ;;;; 致於VEBO,指得是當C極開路,施加於E-B最大電壓為6V,而B-E則是VBE約為0.6-0.7V,這不要搞混;;對於前端驅動,假設FANout電流有限制,則在B極沒有加電阻情況下,驅動損耗:令Vin=5V 驅動Ifanout=100mA,HiLevel=4.8V, 則在B極沒有電阻情況下, 驅動損耗為: HiLevel=VBE(被VBE箝位住), 所以驅動內部電壓為Vin-VBE損耗為(Vin-Vbe)*100mA這時不見的是電晶體掛掉,而是驅動直接燒掉....所以加不加看你驅動能力而定......
没事看看繁体字，当做一副书法作品欣赏也是不错的。
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@lankejushi
看来你没有真正掌握NPN和PNP两种硅三极管的原理。你知道Vebo的真正含义是什么吗？它指的是三极管的be结能承受的最大反向击穿电压（齐纳击穿），对于硅管来说，大致在6V左右。如下图：（点击图片放大看）[图片]由此可见，你问的问题和Vebo的真正含义风马牛不相及。你担心的是三极管be结正向偏置是否会因为限流不当而损坏，和6V的Vebo值毫无关系，因为Vebo指的是be结反向偏置的齐纳击穿电压。那么回到你的问题：三极管工作在开关状态，其基极当然要接一定阻值的限流电阻，否则前级输出有可能因输出内阻不足而短路烧坏前级。毕竟三极管be结正向偏置时电压降被钳位为0.65V~0.7V。
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