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反激电路MOSFET削顶原因
阅读: 548 |  回复: 4 楼层直达

2018/11/29 22:37:51
1
辰轩
电源币:0 | 积分:3 主题帖:1 | 回复帖:0
LV1
士兵

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反激电路中,MOSFET管DS波形削顶了,什么原因?

标签 反激
2018/11/30 09:56:06
2
hylylx
电源币:93 | 积分:40 主题帖:2 | 回复帖:1552
LV9
军长
2018/11/30 10:23:43
3
ymyangyong[版主]
电源币:1982 | 积分:476 主题帖:3 | 回复帖:5963
LV12
元帅

波形上看不出来,有电路图吗?

2018/12/01 20:24:23
4
十年封神路
电源币:36 | 积分:7 主题帖:6 | 回复帖:39
LV4
连长

你这里所说的削顶,是RCD吸收的作用。自然的振荡尖峰被钳位电路吸收了。

你可以尝试着把RCD电路的大电阻加大,通常在100k~470k。

把C电容减小,通常是470pF~2.2nF。

你会慢慢看到自然的尖峰振荡,当心别应力过高击穿MOSFET就可以。

2018/12/02 07:22:23
5
ohbabycomeon
电源币:5 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:5
LV1
士兵
漏感能量被吸收了,可以通过TVS,RCD等
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