您好, 登录| 注册|
论坛导航
您好, 登录| 注册|
子站:
论坛首页    电源技术综合区
  •  发帖
  • 收藏

反激电路MOSFET削顶原因
阅读: 190 |  回复: 4 楼层直达

2018/11/29 22:37:51
1
辰轩
电源币:0 | 积分:3 主题帖:1 | 回复帖:0
LV1
士兵

QQ截图20160321155901  玩大发了! 英飞凌最新无人机套件LARIX免费试用 招募中

QQ截图20160321155901  想学你就来!DSP学习板免费试用 限时申请


反激电路中,MOSFET管DS波形削顶了,什么原因?

标签 反激
2018/11/30 09:56:06
2
hylylx
电源币:78 | 积分:44 主题帖:2 | 回复帖:1091
LV8
师长
2018/11/30 10:23:43
3
ymyangyong[版主]
电源币:1977 | 积分:450 主题帖:2 | 回复帖:5724
LV12
元帅

波形上看不出来,有电路图吗?

2018/12/01 20:24:23
4
十年封神路
电源币:14 | 积分:7 主题帖:4 | 回复帖:15
LV3
排长

你这里所说的削顶,是RCD吸收的作用。自然的振荡尖峰被钳位电路吸收了。

你可以尝试着把RCD电路的大电阻加大,通常在100k~470k。

把C电容减小,通常是470pF~2.2nF。

你会慢慢看到自然的尖峰振荡,当心别应力过高击穿MOSFET就可以。

2018/12/02 07:22:23
5
ohbabycomeon
电源币:5 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:4
LV1
士兵
漏感能量被吸收了,可以通过TVS,RCD等
该帖有赏
客服热线
服务时间:周一至周五9:00-18:00
微信关注
免费技术研讨会
获取一手干货分享

互联网违法不良信息举报

Reporting Internet Illegal and Bad Information
editor@netbroad.com
022-58392381