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【DIY大赛】+反激+利用ST6562设计的LED电源

LED电源设计的参数要求:

输入电压范围90~265VAC47~63Hz

输出:额定功率30W,输出电压36V,电流850mA

效率:>0.86;

体积:尽量做小吧。

目前的反激电源设计难点重点是变压器的设计,变压器线径的选择除了是根据电流密度来计算以外,还需要考虑趋肤效应,以及变压器的骨架的绕线空间。K值一般选取0.5比较合适,连续模式,D0.45,匝数比约2.7,初级圈数可以用NP=Vinmin*Ton/AE/△B NP=119*6.4/62/0.2=62T,次级圈数Ns=62/2.7=23T。这个计算出结果再适当调整即可。

初了变压器的设计,还要考虑吸收的选择,大多数都是选择RCD吸收,但是在稍大功率下,吸收二极管比较热,如果在RC上再加上钳位二极管,此二极管也容易发烫。吸收电阻越小,虽然钳位越小,但损耗会很大。 

MOS的应力选择,MOS的应力直接与输入、输出电压及匝数比密切联系,输出电压越高,匝比越大,则MOS管的应力越大。同时,功率越大这漏感也越大,形成的漏能也越大,尖峰越大。

采样电阻不应选得太小(调到满足功率即可),这样硬起机很容易引起环路反应不过来,误导IC全速跑动,导致峰值电压过高,引起炸管子。

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2018-10-22 09:17
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k6666
LV.9
3
2018-10-22 12:55

电源设计电路图如上。

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k6666
LV.9
4
2018-10-22 12:58
@k6666
[图片]电源设计电路图如上。

6562芯片的电气特性曲线图。

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k6666
LV.9
5
2018-10-22 13:06
@k6666
[图片]6562芯片的电气特性曲线图。

电路设计中,对于QR谐振模式的理解:QR模式是指IC通过磁通复位检测脚(通常是通过供电绕组来实现)以便在检测到振荡电压达到最低点(波谷位置)时,开通MOS管,从而降低导通损耗。 理想状态下,产生Vgs之前,Vds的压降应为零,从而实现真正的软开关,但实际状况里往往Vds被MOS管D-S两端的反并联体二极管钳位在一定的压降上。

而对于反激准谐振来说,是很难实现真正的软开关,它所谓的软开关,就是在检测到Vds的波谷谷值时,从而产生Vgs值,从而降低导通损耗。

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2018-10-22 13:09
@k6666
电路设计中,对于QR谐振模式的理解:QR模式是指IC通过磁通复位检测脚(通常是通过供电绕组来实现)以便在检测到振荡电压达到最低点(波谷位置)时,开通MOS管,从而降低导通损耗。 理想状态下,产生Vgs之前,Vds的压降应为零,从而实现真正的软开关,但实际状况里往往Vds被MOS管D-S两端的反并联体二极管钳位在一定的压降上。而对于反激准谐振来说,是很难实现真正的软开关,它所谓的软开关,就是在检测到Vds的波谷谷值时,从而产生Vgs值,从而降低导通损耗。
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