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反激电源副边绕组感量计算

您好:我想请教一下反激电源在确定完原边电感量了以后如何确定副边线圈匝数。学习张飞老师的课程发现张飞老师的计算方法是原边MOS管耐压为600v,输入最大电压380v,原边线圈最大关断期间感应电压不得大于170V,预留50V的安全余量,还要考虑漏感、杂散电感造成的电压尖峰,在MOS管两端用RC吸收,然后副边的线圈匝数就计算出来了,假设副边12v,n1:n2=v1:v2,此处我的疑惑是副边线圈匝数应该与副边电感量有关,V=L*di/dt,初级匝数可以通过计算得出来,而张飞老师的计算方法与电感放电基本运算方法不一致,麻烦帮忙解答一下 谢谢。因为我最近在学习反激电源,想设计一个12V转16V的电源,输出2A,频率初步定为40K,根据别人的经验,频率太高,mos管需要加散热,mos管的耐压暂时不考虑,我选了一个100V耐压的,峰值功率状态为临界模式,控制ICUC3842,过流保护 谢谢!
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2018-09-25 10:21
最疑惑的就是副边绕组匝数如何确定
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2018-09-25 10:23
有的答案告诉我副边绕组匝数随便设定,只要原边反射电压不会导致开关管过压即可
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2018-09-25 10:23
想寻求一个更有说服力一点的答案 谢谢啦?
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2018-09-26 19:00
大神指点一下迷津吧
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2018-09-28 11:34
@千里知外
最疑惑的就是副边绕组匝数如何确定

12V的圈比是6~10,16V的圈比就要小一点,如5左右,

600V的管子,90%的应力,就是MOS管的Vds只能小于等于540V,减去输入380V,就是160V,还有80V的尖峰,就是80V,这个就是次级折射到初级的电压,80/16=5,这个5就是16V时的圈比,

如果12V,就是80/12=6.66,这个6.66就是12V时的圈比

80V尖峰,就是初级吸收RCD那一块,做得好就80V,做不好100V,120V都可能,

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